Ge:Ga遠赤外検出器の中速応答

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概要

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我々は波長^〜110μmまで感度を持つGe:Ga外因性半導体遠赤外検出器の宇宙観測用衛星搭載装置としての使用を前提とし、極低温(<4.2K)低背景幅射光量下(<10^8 photons/sec)での光入射に対する遅い応答特性について検討してきた。また、同条件下におけるキャリア移動度の測定にも成功し、キャリヤ移動度が中性不純物散乱過程により決定されることを裏付ける結果を得た。この度、我々はキャリアライフタイムの見積もりを行い、感度の温度や電界への依存性が主にキャリアライフタイムの増減により得られることをしめした。また光過度応答をデジタルオシロスコープによりトレースし、経験的モデルにより0.05^〜0.5secの時定数を持つ中速応答成分の抽出を行い2K^〜3.7Kまでの素子および電界強度依存性を示す。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27

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