80 Gb/s光I/OインタフェースMCM ATMスイッチモジュールの開発
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概要
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ノードシステムの性能は、LSIの技術進展に合わせて向上してきたが、この急速なLSIの技術進展により、LSIインタコネクションがボトルネックとなり、今後必要になると考えられる数Tb/s以上のノードシステム実現を阻害しつつある状況にある。このボトルネックを解消する技術として我々は、直接、光ATMセルをスイッチングできるスイッチモジュールをマルチチップモジュール(MCM)の形態で、B5判以下の大きさで実現した。これらを光ファイバで相互に接続することにより320Gb/s以上の単位スイッチが実現でき、10Tb/sへのスイッチ容量の拡大が可能なことを示した。開発した光I/O MCM ATMスイッチモジュールは、0.25μmCMOS LSI技術、40層の大型セラミックMCM技術、超多並列光インタコネクション技術およぴ冷却技術により220×174×15 mm^3の大きさで80Gb/sのスイッチスループットを有する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
大木 英司
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
安東 泰博
(株)フジクラ光電子回路開発センター
-
佐藤 信夫
Ntt通信エネルギー研究所
-
大木 明
NTT通信エネルギー研究所
-
安川 正祥
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
桂 浩輔
Ntt通信エネルギー研究所
-
山中 直明
Nttネットワークサービスシステム研究所
-
川野 龍介
Nttネットワークサービスシステム研究所 Ntt通信エネルギー研究所:nttエレクトロニクス超高速モジュール事業部
-
川野 龍介
Nttネットワークサービスシステム研究所
-
岡崎 勝彦
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
安東 泰博
NTT通信エネルギー研究所
-
安東 泰博
(株)フジクラ 光電子回路開発センター
-
大木 明
Nttネットワークサービスシステム研究所 Ntt通信エネルギー研究所
-
岡崎 勝彦
日本電信電話株式会社 Nttネットワークサービスシステム研究所
-
桂 浩輔
Ntt 光エレクトロニクス研
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