N-S接合過剰電流の温度特性に関する一考察
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概要
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バリアの異なるN-S接合を作製し、アンドレーフ反射によって生じる過剰電流の温度依存性を実験的に調べた。超伝導体にはPbを、常伝導体にはAuを用いて光露光法によってN-S接合を作製し、測定中の素子の温度は、PID制御によって安定化させた。実験結果はアーノルド理論を用いて解析した。過剰電流の温度特性I excess(T)の精密測定を行った結果、実験結果はアーノルド理論と良く一致した。特にバリアの大きな接合の場合に実験結果と理論が良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-16
著者
-
吉森 茂
拓殖大学工学部電子システム工学科
-
吉森 茂
拓殖大学工学部
-
川村 光男
拓殖大学 工学部 電子工学科
-
川村 光男
拓殖大学工学部電子工学科
-
高野 竜一
拓殖大学 工学部 電子工学科
-
末吉 正典
拓殖大学工学部
-
高野 竜一
拓殖大学工学部
-
藤原 明子
拓殖大学工学部
-
吉森 茂
拓殖大学工学部電子工学科
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