N-S接合の過剰電流に関する一考察
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概要
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常伝導体(N)としてAu、超伝導体(S)としてPbを用いてN-S接合を製作し、過剰電流の電圧依存性及び温度依存性を測定した。アーノルド理論を用いて実験結果を解析し、接合界面のバリアの幅及び高さを推定した。Au-Pb接合の電流電圧特性は、2mV以下の電圧領域では、理論解析結果と良く一致した。しかし、3mV以上の電圧領域では理論値よりも大きな過剰電流が観測された。また、臨界温度付近における過剰電流の温度依存制は△(T)と一致するが、温度を下げていくと過剰電流は飽和し、実験結果はアーノルド理論の結果を良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
吉森 茂
拓殖大学工学部電子システム工学科
-
吉森 茂
拓殖大学工学部
-
川村 光男
拓殖大学 工学部 電子工学科
-
川村 光男
拓殖大学工学部電子工学科
-
末吉 正典
拓殖大学工学部
-
中浜 渉
拓殖大学工学部
-
吉森 茂
拓殖大学工学部電子工学科
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