IV族半導体バルクの空間電荷波と負性抵抗についての一解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- C-8-7 超伝導マイクロストリップ線路損失の伝搬電力依存性解析
- C-8-2 NbN/AlN多層膜のAES・XRD分析
- C-8-1 N-S-N接合の電流電圧特性
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- N-S-N接合の作製と特性
- Nb/M(M=Al,Au)多層膜の臨界温度
- 誘導遷移放射を利用したX線自由電子レーザの利得に及ぼす空間電荷および多重散乱の影響
- N-S接合過剰電流の温度特性に関する一考察
- N-S接合の過剰電流に関する一考察
- 高Tc酸化物超伝導体薄膜臨界温度の膜厚依存性の解析
- 誘導遷移放射を利用したX線自由電子レ-ザの利得に及ぼす多重散乱の影響について
- ジョセフソントライオ-ドの特性解析
- ジョセフソン弱結合のサブミリ波応答の解析(技術談話室)
- Nb-Pb-Nb平面型ジョセフソン素子のミリ波応答(技術談話室)
- Pb薄膜マイクロブリッジ形ジョセフソン素子によるミリ波ビデオ検波特性について
- Pb薄膜マイクロブリッジ形ジョセフソン素子における構造パラメ-タのミリ波応答特性に与える影響について
- 金属導波路を用いたCW496μmCH3Fレ-ザ
- 誘導遷移放射を利用したX線自由電子レ-ザの利得に及ぼす空間電荷の影響について
- 媒質の温度特性を考慮したcw-HCNレ-ザの出力特性とその検討
- 高周波放電励起による小形cw HCNレ-ザの出力増加(技術談話室)
- 金属導波管形CH3Fレ-ザの最適管長(技術談話室)
- マイクロブリッジ形ジョセフソン素子の電流・位相差特性の2次元計算機解析
- 小形cwHCNレ-ザの出力特性に及ぼすHe,Ar,空気,O2の添加効果(技術談話室)
- ゴ-レィ検出器を用いたCW超ミリ波放射電力の簡易測定法について(技術談話室)
- 漏れ磁束の影響をも考慮した二段加速形電子銃の設計とその応用
- Ghost Mode Techniqueを用いた50GHz帯における高誘電率低損失誘電体の測定
- 横磁界中における半導体の表面キャリヤ波の解析
- 誘電体円板装荷低速回路の特性(技術談話室)
- 非球面陰極使用高パービアンス電子鋭からの電子ビーム集束特性
- IV族半導体バルクの空間電荷波と負性抵抗についての一解析