マイクロ波帯における終端開放型方形導波管を用いた高損失固体材料の誘電率測定
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概要
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本報告では, 比吸収率(SAR : Specific Absorption Rate)測定用固体ファントムの誘電率を非破壊で確認する手段を示すことを目的とし, 終端開放型方形導波管を用いた高損失固体材料に対する誘電率測定について基礎検討を行った.まず, FDTD法を用いて, 高損失固体材料表面に終端開放型方形導波管を密着させた構成をモデル化し, 複素比誘電率を変数として反射係数を算出した.そして, 周波数2GHz及び5GHzにおいて, 複素比誘電率と反射係数の関係を示す誘電率チャートを導出した.次に, 数値計算と同様の構成において, 高損失固体材料に対する反射係数測定を行い, 先に導出した誘電率チャート上に測定値をプロットした.この結果を, 同軸管法及び同軸プローブ法による複素比誘電率の測定結果と比較した.更に, 終端開放型方形導波管の端部に, 低損失誘電体を用いたインピーダンス整合層を適用して反射係数を得る方法を提案し, 整合層の適用前と比較して反射係数の変動が大きな誘電率チャートが得られることを解析的に示した.
- 2005-01-14
著者
-
橋本 修
青山学院大学
-
上林 真司
株式会社NTTドコモ
-
谷 健祐
青山学院大学理工学部
-
大西 輝夫
株式会社NTTドコモ 総合研究所
-
橋本 修
青山学院大 理工
-
大西 輝夫
株式会社nttドコモ
-
江原 英利
株式会社NTTドコモ
-
三木 大輔
青山学院大学大学院理工学研究科
-
江原 英利
NTTドコモ
-
江原 英利
株式会社 Nttドコモ
-
谷 健祐
青山学院大学 理工学部
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