InAsマスクの電子線照射エッチングによるGaAsの真空中パターニング
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概要
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我々はMBE成長や、塩素ガスエッチングと電子線照射との組み合わせによるパターニング法などの真空一貫プロセスを用いて、立体量子構造の作製を試みている。ここでは真空中でのパターニングの方法として、MBE成長したInAsマスクを用いる方法について報告する。塩素ガスエッチング中に電子線を照射する事により、電子線照射部のInAsのエッチレートが非照射部のエッチレートに比べ20倍以上増大することを見い出し、この方法がInAsマスクのパターニングに有効であることを明らかにした。このパターンは電子線を照射しない塩素ガスエッチングによりGaAsに転写される。また塩化水素ガスエッチングに対するInAsのエッチレートがGaAsのエッチレートの60倍になることを見い出し、これをInAsマスクの剥離に適用した。これらの結果をMBE成長をMBE成長したInAsに適用し、十分平坦な斜面をもつV溝構造をGaAs上に形成することに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
著者
-
角屋 豊
広大工
-
榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
-
野毛 宏
新技術事業団
-
吉田 孝志
新技術事業団量子波プロジェクト
-
角屋 豊
新技術事業団量子波プロジェクト
-
三矢 伸司
新技術事業団量子波プロジェクト
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