YBaCuO薄膜のカイネティックインダクタンス(II)
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概要
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YBaCuO薄膜のカイネティックインダクタンスのバイアス電流による変調をGL理論を用いて調べた。カイネティックインダクタンスは薄膜内の電流分布に強く依存するため、電流分布を数値シミュレーションにより求めた。この結果を用いて、カイネティックインダクタンスに及ぼす薄膜の形状効果を明らかにした。さらに、薄膜の厚さが薄い場合には、等価的な磁場侵入長λeは膜厚に反比例して増加することを示した。形状効果によるインダクタンス変調の劣化を避けるためには、薄膜の幅がλe程度であれば良いことを示した。最後に、カイネティックインダクタンスの電流依存性を実験的に調べ、実験結果がGL理論により定量的に説明できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
竹尾 正勝
九大
-
吉田 啓二
九州大学工学部
-
木須 隆暢
九州大学工学部
-
円福 敬二
九州大学工学部
-
土井 秀機
九州大学工学部電子工学科
-
竹尾 正勝
九州大学工学部
-
帆足 正和
九州大学工学部電子工学科
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