非相反移相効果増大のためのAlInAs選択酸化による低屈折率クラッド層の形成(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
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概要
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光通信において光源として用いられる半導体レーザは、反射光の再入射によって動作特性が劣化することから、光アイソレータが必要不可欠である。本研究グループでは、磁性ガーネット/GaInAsP/InP構造の磁気光学導波路を用いて、非相反移相形光アイソレータと非相反放射形光アイソレータの製作を試みているが、前者では素子長が長く、後者では製作トレランスが小さいという問題点がある。そこで、これら2つの光アイソレータにおける問題点を改善するために、低屈折率なAlInAs-oxideクラッド層を形成することによる非相反移相効果の増大を試みた。その結果、これまで用いられてきた屈折率3.17のInPクラッド層よりも低い屈折率2.45のAlInAs-oxideクラッド層の形成に成功した。
- 2003-08-22
著者
-
庄司 雄哉
東京工業大学
-
水本 哲弥
東京工業大学
-
庄司 雄哉
東京工業大学大学院理工学研究科
-
横井 秀樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
横井 秀樹
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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