シリコン導波路型光アイソレータにおける動作帯域拡大(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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シリコン導波路でマッハツェンダ干渉計(MZI)を形成し,この上に磁気光学ガーネットを直接接合することで光アイソレータを構成することができる。磁気光学効果によって発生する伝搬方向に依存した位相差を干渉導波路間に発生させ,これと伝搬方向に依存しない位相差を組み合わせることで,前進波に対しては同相干渉,後退波に対しては逆相干渉を生じさせて非相反な伝達特性を実現する。これまで,この光アイソレータにおいて30 dBの高いアイソレーションを実現しているが,動作帯域の拡大が解決すべき課題の一つである。今回,干渉導波路を適切に製作することで, 20 dB以上のアイソレーションを与える帯域として8 nmをもつシリコン導波路MZI型光アイソレータの動作を得たので,その結果を報告する。磁気光学効果による非相反な位相変化は,シリコン導波路上に直接接合した磁気光学ガーネットCe:YIGによって得ている。
- 2013-08-22
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