PLD法によるサファイア基板上YBa_2Cu_3O_7薄膜の成膜(材料・一般)
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概要
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PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いてサファイア基板上にYBa_2Cu_3O_7(YBCO)薄膜を成膜した.R面サファイア基板上にバッファ層としてCeO_2を形成した後,in situで連続してYBCOを成膜した.X線回折(XRD)測定からCeO_2は(100)配向,YBCOはc軸配向であることを確認した.電気特性測定から典型的な超電導臨界温度T_c=85K,超電導臨界電流密度J_c=1×10^7A/cm^2(@4.2K)を得,良好な超電導特性を得た.YBCO1ターンコイルを形成してインダクタ(L)-キャパシタ(C)共振回路を作製し,共振特性のQ値(quality factor)からYBCOの特性を評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-08
著者
-
齊藤 和夫
日立製作所基礎研究所
-
齊藤 和夫
(株)日立製作所基礎研究所
-
越智 久晃
(株)日立製作所中央研究所
-
岡田 道哉
(株)日立・日立研
-
岡田 道哉
(株)日立
-
北口 仁
(独)物質・材料研究機構
-
北口 仁
(独)物質・材料研究機構超伝導材料研究センター
-
山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所基礎研究所
-
長谷川 晴弘
日立製作所基礎研究所
-
山本 浩之
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
齊藤 和夫
日立製作所基礎研究所ナノ材料デバイスラボ
-
山本 浩之
(株)日立製作所 基礎研究所
-
長谷川 晴弘
(株)日立製作所 基礎研究所
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