陽極バッファ層を有するindium tin oxide/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine素子の電流-電圧特性と内蔵電位(有機分子エレクトロニクスの現状と将来展望論文小特集)
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概要
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有機発光素子の発光効率を高めるためpoly(3,4-ethylene dioxythiophene)(PEDOT)陽極バッファ層の効果をindium tin oxide(ITO)/PEDOT/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/Au素子の電流-電圧特性及び内蔵電位を測定することにより調べた.その結果,PEDOT膜厚を厚くすると電流値が大きくなり,内蔵電位がほぼゼロになることがわかった.この電流値の増大はITO,TPD界面の注入障壁の低下に起因することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-01
著者
-
高橋 秀明
大阪府立大学大学院工学研究科
-
Naito H
Univ. Osaka Prefecture Osaka
-
内藤 裕義
大阪府立大学工学部電子物理工学科
-
Naito H
College Of Engineering Osaka Prefecture University
-
Naito H
Osaka Prefecture Univ. Osaka Jpn
-
内藤 裕義
大阪府立大学 先端科学研究所
-
安藤 幹
大阪府立大学大学院工学研究科電気・情報系専攻電子物理工学分野
-
内藤 裕義
大阪府立大学大学院 工学研究科 電子・数物系専攻
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