Cz法によるGaN用新基板材料Ca_8La_2(PO_4)_6O_2の単結晶作成と格子整合性 : バルク成長II
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概要
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We have successfully grown Ca_8La_2(PO_4)_6O_2 single crystals as a substrate material for GaN epitaxy by the Czochralski technique. Grown Ca_8La_2(PO_4)_6O_2 single crystals showed high lattice matching (approximately 0.36%) and high transparency (from 350nm to 2300nm). Coefficience of thermal expansion was determined by high temperature powder X-ray diffraction method.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
福田 承生
東北大金研
-
島村 清史
東北大金研
-
福田 承生
東北大学 多元物質科学研究所
-
吉川 彰
東北大学多元物質科学研究所
-
吉川 彰
東北大金研
-
風田川 統之
東北大金研
-
Yoshikawa Akira
Ntt Lsi Laboratories
-
Fukuda T
Gunma Univ. Gunma Jpn
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