ソルボサーマル法によるZnOバルク結晶作製とそのGaN結晶への適用(<小特集>基板結晶)
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概要
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近年,超臨界流体を溶媒とする"ソルボサーマル法"が,ZnOおよびGaNといったワイドバンドギャップ半導体のバルク単結晶作製に適用できることが改めて示されたことにより,特に注目を浴びることとなった.本稿では,ソルボサーマル法の中から,特にハイドロサーマル法によるZnOバルク結晶作製の例と,その概念をGaNバルク結晶作製へ展開しようという試み(アモノサーマル法)に関して紹介する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-03-31
著者
-
福田 承生
東北大学 多元物質科学研究所
-
吉川 彰
東北大学多元物質科学研究所
-
福田 承生
東北大学多元物質科学研究所
-
鏡谷 勇二
東北大学多元物質科学研究所
-
Yoshikawa Akira
Ntt Lsi Laboratories
-
Fukuda T
Gunma Univ. Gunma Jpn
-
Fukuda T
Waseda Univ. Tokyo Jpn
-
Fukuda T
Tohoku Univ.
-
Fukuda Tsuguo
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials (imram) Tohoku University
-
Fukuda Tsuguo
Optoelectronics Joint-research Laboratory
-
Fukuda T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Hokkaido Center Sapporo Jpn
-
Fukuda Tsuguo
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
-
Fukuda T
Matsushita Communication Industrial Co. Ltd. Yokohama Jpn
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