鉄・ケイ素酸化膜/ケイ化鉄焼結体の熱電特性と電流-電圧特性
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概要
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We have investigated thermoelectric properties and I-V characteristics of the sintered n type iron disilicide, Fe_<0.95>C_<0.05>Si_<2.00>- Partial oxidation of the surface to form an oxidized layer/semiconductor junction was found to increase both Seebeck coefficient and resistivity at room temperature to 700℃. I Vcharacteristics of this junction obeyed an equation of the Poole Frenkel type emission, indicating formation of an electronic potential barrier by the oxidized layer, Fe-O/Si0_2. It is considered that increase in Seebeck coefficient and resistivity are due to the potential barrier.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1995-12-01
著者
-
河本 邦仁
名古屋大学大学院工学研究科
-
上杉 隆
出光石油化学(株)製品販売部
-
河本 邦仁
名古屋大学工学部物質化学科
-
時合 健生
出光興産(株)石油ガス部
-
河本 邦仁
名古屋大学・エコトピア科学研究所
-
時合 健生
出光興産(株)営業研究所
-
河本 邦仁
名古屋大学 大学院工学研究科 科学技術振興機構 CREST
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