28GHzマイクロ波加熱熱処理による窒化ケイ素セラミックスの粒成長促進効果
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概要
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To investigate the effect of microwave heating on grain growth behavior in silicon nitride ceramics, microwave annealing was carried out using a microwave radiation frequency of 28 GHz. A comparative study of silicon nitride annealed by microwave and by conventional heating was done using scanning electron microscopy (SEM) observation and image analysis. Results show that microwave annealing is more effective in enhancing the grain growth and in producing the bi-modal microstructure than conventional heating. In particular, the growth along the c-axis was more remarkable due to the local and selective heating of the liquid phase by the microwave.
- 2000-03-01
著者
-
鳥山 素弘
通産省工業技術院名古屋工業技術研究所
-
平尾 喜代司
(独)産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
-
廣田 正行
産業技術短期大学情報処理工学科
-
平尾 喜代司
独立行政法人産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門
-
鳥山 素弘
産業技術総合研究所
-
Brito M
産業技術総合研 シナジーマテリアル研セ
-
Brito Manuel
産業技術総合研究所シナジーマテリアル研究センター
-
Brito M
名古屋工技研
-
平尾 喜代司
工業技術院 名古屋工業技術研究所 セラミック基礎部
-
平尾 喜代司
名古屋工業技術研究所
-
VALECILLOS Maria-Cecilia
工業技術院名古屋工業技術研究所セラミックス基礎部
-
BRITO Manuel
工業技術院名古屋工業技術研究所セラミックス基礎部
-
鳥山 素弘
工業技術院名古屋工業技術研究所セラミックス基礎部
-
烏山 素弘
名古屋工業技術試験所
-
広田 正行
産業技短大
-
VALECILLOS Maria-Cecilia
産業技術総合研究所シナジーマテリアル研究センター
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