27aYQ-11 第一原理計算によるNi_<1-x>Cu_xとPt_<1-x>Rh_xの仕事関数の組成依存性の考察
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23aGL-8 架橋系コンダクタンスの距離依存性とフリーデルの総和則(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYH-8 フリーデル総和則を満たす位相のずれと金属原子架橋系の電気伝導度(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30pTE-6 架橋系の電気伝導度とフリーデル総和則(30pTE ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pXA-7 金属原子架橋系の電気伝導度とフリーデル総和則(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
-
Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
-
Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress (Special issue: Solid state devices and materials)
-
Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress
-
Characterization of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
-
Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy
-
Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy
-
26aYB-4 Cd-CaおよびZn-Sc立方晶における圧力誘起構造相転移の理論計算(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
20pYJ-6 Zn_6Sc立方晶の低温相転移におけるCu添加の影響(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
18aRG-10 固体酸素ε相の結晶構造に関する理論計算II(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
-
II 極端条件下における電子状態(数理解析学)
-
24aZB-1 固体酸素ε相の結晶構造に関する理論計算(24aZB 分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
-
II 極端条件下における電子状態(数理解析学,物質理学研究科)
-
19pXA-3 固体酸素δ相の磁気秩序(分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
-
20pWF-12 α相固体酸素の結晶構造に対する分子スピンの影響
-
29pWB-4 高圧下における固体酸素の第一原理計算 II
-
24pYH-4 高圧下における固体酸素の第一原理計算
-
超電導インバータの可能性
-
26pPSB-54 AgおよびAuAg合金1Go接点の破断電圧(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26pRJ-8 Au 1G_0接点の電流誘起破断(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pWH-3 原子サイズSi接点のコンダクタンス(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
走査ホール顕微鏡によるYBCO被覆導体上のボルテックスの観察
-
アルカリ吸着系のオ-バ-レイヤ-・プラズモン
-
4a-E-6 K/Si(100)2×1の電子構造とオーバレイヤープラズモン
-
1a-RJ-11 擬1次元オーバーレイヤープラズモンの電子エネルギー損失スペクトル
-
31p-K-14 高ステージ・グラファイト層間化合物の密度汎関数法によるバンド計算
-
24aPS-97 金属単原子接点のRF信号伝達(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25p-PS-57 Si(111)√×√-B/defect表面のSTSにおける負性微分抵抗の理論
-
5p-E-8 Si(111)√3×√3-B/defect表面のSTSにおける負微分抵抗の理論
-
2a-T-5 クーロンブロッケードの数値シミュレーション
-
2a-T-4 接合系の電子移動
-
3p-C4-7 電界脱離の機構と速度方程式
-
3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
-
アルカリ単原子吸着層の電子構造
-
27p-N-4 STMにおける電子過程の諸問題
-
MgO極性表面の電子状態 (〔第59回〕触媒討論会特集号--表面の新しい機能を探る触媒討論会(予稿)) -- (「表面科学における化学的側面」セッション)
-
28p-D-11 固体表面での電荷交換におけるバンド効果
-
27p-D-3 酸化物の表面状態
-
2p-E-4 媒質系と結合した動的Newns-Anderson模型による電子移動
-
11a-A-8 化学吸着・物理吸着系での電界蒸発
-
30a-S-14 NbSe_3のバンド構造
-
29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
-
28a-D-12 NbSe_3のバンド計算
-
29pPSB-10 TiおよびAl合金原子サイズ接点のコンダクタンス(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pPSB-29 Au/BDT/Au単分子接合の高バイアス破断(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25pPSB-63 多層カーボンナノチューブの交流インピーダンス(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30pXJ-1 原子サイズZn接点のコンダクタンス(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pYE-4 Au 1G_0接点の寿命分布(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pXC-9 Ptナノ接点の電流誘起破断(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
13aXG-2 Al ナノ接点における電流誘起不安定性(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
-
30pWP-7 Cuナノ接点における電流誘起不安定性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
-
27aWP-13 希釈冷凍機冷却による超低温STMの開発(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
-
21pRA-3 金属単原子接点の高バイアス特性
-
31aZF-3 AI 単原子接点の高バイアスコンダクタンス
-
20aWD-6 AuAg接点の量子化コンダクタンスのバイアス依存性
-
走査トンネル顕微鏡を用いたアルカリ金属吸着Si表面のトンネル障壁の実空間観察
-
28pYQ-8 金合金接点の量子化コンダクタンス
-
27aYQ-11 第一原理計算によるNi_Cu_xとPt_Rh_xの仕事関数の組成依存性の考察
-
Conductance in Breaking Nanocontacts of Some Transition Metals
-
23aTD-2 各種金属ナノ接合と量子化コンダクタンス
-
26pRJ-2 ナノサイズ架橋構造におけるコンダクタンスの電極接合部分による影響(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22pPSB-24 金属原子鎖におけるコンダクタンスの電極・原子鎖間の相互作用による影響(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pWH-4 金属原子鎖におけるコンダクタンスの鎖長依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
I ナノ系を通過する非平衡電流と非弾性伝導(数理解析学)
-
26pYH-6 ナノワイヤにおける電気特性のPhase-Shiftを用いた解析(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
I ナノ系を通過する非平衡電流と非弾性伝導(数理解析学,物質理学研究科)
-
30aPS-72 Al原子鎖の電気伝導とPhase-Shift(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
II 極端条件下における電子状態(数理解析学)
-
I ナノ系を通過する非平衡電流と非弾性伝導(数理解析学)
-
20aYE-10 原子・分子架橋における電気伝導チャンネルとPhase-Shift(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aXD-6 原子・分子架橋における電気伝導度のPhase-Shiftによる定式化(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pZG-11 銅酸化物のクラスター計算による励起状態(24pZG 高温超伝導(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
27pUE-4 銅酸化物の局所的電子状態と格子不安定性(27pUE 高温超伝導(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
19pYJ-17 銅酸化物の局所的電子状態と格子不安定性及び反強磁性超交換相互作用(高温超伝導(理論),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
25aWL-12 La_Ba_xCuO_4の局所的電子状態と格子不安定性(高温超伝導(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
15aRC-2 二重層マンガン酸化物におけるポーラロン形成と金属的伝導の共存可能性(マンガン酸化物 : 理論, 領域 8)
-
28pXA-16 2重層マンガン酸化物の電子状態(金属絶縁体転移理論・パイロクロア・マンガン酸化物理論)(領域8)
-
28aPS-40 La_Sr_Mn_2O_7 におけるポーラロン効果
-
18aYB-4 層状Mn酸化物La_Sr_Mn_2O_7の第一原理クラスター計算
-
27aYM-10 磁気コンプトン散乱で軌道を見る(2) : (La,Sr)_3Mn_2O_7のクラスター計算
-
31a GD-11 NbSe_3のバンド構造
-
V 強相関系における電子状態(数理解析学)
-
III Mn酸化物、Cu酸化物における電子状態(数理解析学,物質理学研究科)
-
29p-WC-9 Al表面上での塩素分子の解離吸着過程の理論解析
-
15aPS-75 金属架橋の電気伝導度の Phase-Shift による解析(領域 9)
-
III 強相関電子系における電子状態と輸送現象(数理解析学)
-
Scanning Tunneling Microscopy Barrier-Height Imaging of Ba-Adsorbed Si(111)7 × 7 Surface
-
27aTB-10 光支援トンネリングの理論
-
27aYE-8 STM非弾性伝導率に対する対称性の効果II(表面界面ダイナミクス(分子))(領域9)
-
23aYC-4 STM 非弾性伝導率に対する対称性の効果
-
複数の準位を介した電流におけるクーロン斥力の効果
-
27pPSA-61 Pt単原子接点への水素原子の取り込み(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pPSA-28 Fe, Co, Ni原子サイズ接点の室温コンダクタンス(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pPSB-58 HCP金属の原子サイズ接点の室温コンダクタンス(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pPSA-66 Mgナノワイヤーの破断過程(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
-
26pPSA-59 Ni原子サイズ接点のコンダクタンス分布の温度依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク