Characterization of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文

著者

• 酒井 明

  京大工

関連論文

• Conductive Atomic Force Microscopy Analysis for Local Electrical Characteristics in Stressed SiO_2 Gate Films
• Microscopic Analysis of Stress-Induced Leakage Current in Stressed Gate SiO_2 Films Using Conductive Atomic Force Microscopy
• Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress (Special issue: Solid state devices and materials)
• Behavior of Local Charge Trapping Sites in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films under Constant Voltage Stress
• Characterization of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
• Local Current Leakage Characterization in La_2O_3-Al_2O_3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy
• Nanoscale Observations for Degradation Phenomena in SiO_2 and High-k Gate Insulators Using Conductive-Atomic Force Microscopy
• 超電導インバータの可能性
• 26pPSB-54 AgおよびAuAg合金1Go接点の破断電圧(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pRJ-8 Au 1G_0接点の電流誘起破断(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pWH-3 原子サイズSi接点のコンダクタンス(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 走査ホール顕微鏡によるYBCO被覆導体上のボルテックスの観察
• 24aPS-97 金属単原子接点のRF信号伝達(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-10 TiおよびAl合金原子サイズ接点のコンダクタンス(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-29 Au/BDT/Au単分子接合の高バイアス破断(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-63 多層カーボンナノチューブの交流インピーダンス(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pXJ-1 原子サイズZn接点のコンダクタンス(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pYE-4 Au 1G_0接点の寿命分布(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-9 Ptナノ接点の電流誘起破断(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aXG-2 Al ナノ接点における電流誘起不安定性(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 30pWP-7 Cuナノ接点における電流誘起不安定性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
• 27aWP-13 希釈冷凍機冷却による超低温STMの開発(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 21pRA-3 金属単原子接点の高バイアス特性
• 31aZF-3 AI 単原子接点の高バイアスコンダクタンス
• 20aWD-6 AuAg接点の量子化コンダクタンスのバイアス依存性
• 走査トンネル顕微鏡を用いたアルカリ金属吸着Si表面のトンネル障壁の実空間観察
• 28pYQ-8 金合金接点の量子化コンダクタンス
• 27aYQ-11 第一原理計算によるNi_Cu_xとPt_Rh_xの仕事関数の組成依存性の考察
• Conductance in Breaking Nanocontacts of Some Transition Metals
• 23aTD-2 各種金属ナノ接合と量子化コンダクタンス
• 29p-WC-9 Al表面上での塩素分子の解離吸着過程の理論解析
• Scanning Tunneling Microscopy Barrier-Height Imaging of Ba-Adsorbed Si(111)7 × 7 Surface
• 27pPSA-61 Pt単原子接点への水素原子の取り込み(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-28 Fe, Co, Ni原子サイズ接点の室温コンダクタンス(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-58 HCP金属の原子サイズ接点の室温コンダクタンス(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSA-66 Mgナノワイヤーの破断過程(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 26pPSA-59 Ni原子サイズ接点のコンダクタンス分布の温度依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク