27aXE-9 窒素導入による酸化シリコン膜とシリコン基板の界面構造の変化

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-03-09

著者

• 高橋 功

  関学大理工

• 淡路 直樹

  富士通研究所

• 野村 健二

  富士通研究所

• 土井 修一

  関学大理

• 田中 律寿

  関学大理ハイテク・リサーチ・センター

• 高橋 功

  関学大理ハイテク・リサーチ・センター

• 加田 敏照

  関学大理

• 小宮 聰

  富士通研究所

• 田中 律寿

  関学大理

• 高橋 功

  関学大理

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