10p-R-1 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : 理論的側面

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1977-09-20

著者

• 上村 洸

  東大理

• 名取 晃子

  東大理

関連論文

• スピンに依存したフォノン・ラマン散乱
• 13p-M-6 強磁性半導体におけるフォノン・ラマン散乱の理論
• 6a-P-9 K_2NiF_4型反強磁性体のマグノンサイドバンドと励起子分散
• 28a-M-9 アンダーソン局在相における分極関数とマグネト・キャパシタンス
• 2a-F-5 1T-TaS_2系における磁気抵抗と比熱の異常
• 弟子からみた小谷正雄先生の研究業績
• 29p-L-5 低次元物質の電子状態と低温物性 (最近の興味ある超伝導物質)
• 2p-A-8 GICの軌道帯磁率 : ステージ依存性
• 4a-KH-10 GICの軌道帯磁率
• 30a-G-6 (CH)_xのバイブロニック状態とESRスペクトル
• 31p-K-8 共役鎖状分子(CH)_xのバイブロニック状態
• 12p-E-8 インターカレーション化合物 8. : 層間電荷分布と磁気的性質
• 31p-K-14 高ステージ・グラファイト層間化合物の密度汎関数法によるバンド計算
• 点群と固体分光学への応用 : 測地線
• 2a-F-3 ホウ素の電子構造
• 6a-E4-6 ペンローズ格子における量子ホール効果
• 磁場中2次元ペンローズ格子の電子状態
• 11a-Q-8 半導体の施光分散 : Te の場合
• 3p-ZE-16 補償Si:P系の電子状態のシミュレーション(2)
• 11p-H-4 テルルの伝導帯
• 2p-W-30 遷移金属カルコゲナイドへのLiのインターカレーションを利用したバッテリー
• 10p-A-9 交番電場下のhopping : 交番電場下の不純物伝導 2
• 10p-A-8 交番電場下の不純物伝導
• 強磁性体の磁気光効果
• 28a-P-2 グラファイト磁性層間化合物C_6Euの磁気的性質
• KCl,KBrのU_2中心の電子状態 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
• 7p-L-11 パイエルス転位における三次元構造変化
• 7a-Q-7 一次元金属(SN)_xポリマーのバンド構造II光学スペクトルの解析
• 2p-N-6 磁場によって誘起されたTe価電子帯の非対称性
• 第17回半導体物理学国際会議
• 第15回半導体物理学国際会議
• 第13回半導体国際会議
• 一次元性金属 (SN)_x ポリマー
• II-VI族半導体のdeep level : 半導体 : マイクロ波
• 7p-B-16 II-VI族半導体中の深い不純物準位とそのバイブロニックな構造
• 4p-TB-7 YIG中でのHoイオンと鉄イオンとの間の異方的交換相互作用
• ヤーン・テラー効果で誘起される光学遷移 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 電子格子相互作用による局在励起
• 24p-M-4 GaAs-AlAsフィボナッチ超格子の電子状態
• 28a-M-10 アンダーソン局在における電子間相互作用
• 10p-B-16 CoF_2,赤外吸收と磁性
• 16A-15 MX^_6置換体の吸收スペクトル
• 18F-6 半導体におけるInterstitial Atom のEnergy Level.I
• 6F4 Thomas-Fermi 法の錯塩への適用(続き)
• Thomas-Fermi法の錯塩への適用 : 原子分子
• 9p-B-2 貴金属中のtransition metal impurityによる残留抵抗
• 7p-Q-8 テルルの価電子帯間磁気光吸収
• テルル単結晶の価電子帯構造
• 2p-TC-11 Te系半導体理論的側面から
• 15a-A-17 テルル価電子帯のランダウ準位
• 15a-A-16 テルルの価電子帯構造と赤外吸収
• 9a-F-1 Theory of Magnetotunneling between k-linear induced valleys
• TeのNMRシフト : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 13p-M-5 強磁性半導体中の常磁性F'中心
• 不純物ドープ半導体での電子相関効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 1a-Pα-6 不純物ドープ半導体の電子相関効果
• 3a-NL-6 Romdomnissと強い電子相関がある系の金属-非金属転移と磁性
• 30a-K-3 不純物半導体の光吸収スペクトルの温度効果と圧力効果
• 27a-A-5 D^-バンドのスピン分極依存性
• 3p-DS-8 強磁場下D^-イオンの光吸収スペクトル
• 10p-R-1 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : 理論的側面
• 8a-B-6 半導体中のD^--状態 II
• 8a-B-5 半導体中のD^--状態 I
• 5a-U-11 Narrow-gap semiconductorに於ける変位型相転移 : 格子非調和性の効果
• 10p-F-3 Narrow-gap semicnductorsに於る変位型相転移
• 14aM-1 電子-ホノン系に於る格子変形
• Ge, Si中のshallow impurityのg-shift : 磁気共鳴
• 9a-Q-2 パラジューム族,白金族錯塩の磁気的性質
• 17F-7 アルカリハライド : Tlの励起状態
• 二次元バンドにおけるindirect exciton : イオン結晶・光物性
• 6p-G-3 層状物質のバント構造と光学的性質
• GaSe 型半導体
• 層状半導体のバンド構造 : 半導体 : 輸送
• 第20回半導体物理国際会議
• 博士論文を対象とした論文賞
• 銅酸化物系における超伝導機構と磁性(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
• KCI,KBr中のU_2中心の電子構造II : イオン結晶・光物性
• 第19回半導体物理学国際会議
• 6p-B1-6 補償Si:P系の電子状態のシミュレーション
• 26a-T-3 ヤーン・テラー相互作用を媒介にしたホール対トンネルリングと高温超伝導
• 第16回半導体物理学国際会議 : II. 会議の印象
• 31a-L1-1 化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態における多重項の効果(半導体,(深い不純物))
• 29p-H-10 金属超微粒子系における殻模型の検証(表面・界面)
• 31p-PS-147 La-Cu-O系における電子相関効果のシミュレーション(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 29a-H-11 グラファイトの常磁性シフトの計算(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
• 2p-D2-9 2元アルカリ金属GIC^4C_8K_Rb_x(x〜0.65)の弾性異常(2p D2 半導体(グラファイト・グラファイトインターカレーション・他),半導体)
• 30a-FB-9 II-VI半導体中の還移金属不純物の電子状態(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 30a-BG-6 金属超微粒子の安定性と光分解過程(30a BG 表面・界面)
• 31p-G-9 化合物半導体中の遷移金属不純物の多重項構造(31pG 半導体(深い不純物))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク