名取 晃子 | 東大理
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概要
関連著者
著作論文
- 不純物ドープ半導体での電子相関効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 1a-Pα-6 不純物ドープ半導体の電子相関効果
- 3a-NL-6 Romdomnissと強い電子相関がある系の金属-非金属転移と磁性
- 30a-K-3 不純物半導体の光吸収スペクトルの温度効果と圧力効果
- 27a-A-5 D^-バンドのスピン分極依存性
- 3p-DS-8 強磁場下D^-イオンの光吸収スペクトル
- 10p-R-1 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : 理論的側面
- 8a-B-6 半導体中のD^--状態 II
- 8a-B-5 半導体中のD^--状態 I
- 5a-U-11 Narrow-gap semiconductorに於ける変位型相転移 : 格子非調和性の効果
- 10p-F-3 Narrow-gap semicnductorsに於る変位型相転移
- 14aM-1 電子-ホノン系に於る格子変形