10p-B-16 CoF_2,赤外吸收と磁性
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H. Watanabe: Operator Method in Ligand Field Theory, Prentice Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1966, 193頁, 15×23cm, 3,800円.
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B.G. Wybourne: Spectroscopic Properties of Rare Earths. Interscience Publishers, New York, 1965, 236頁, 15×23cm, 4,200円.
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F. Seitz and D. Turnbull編: Solid State Physics Vol.16, Academic Press Inc., New York and London 1964, 446頁, 16×24cm, 6200円, Chapter 3. M.T. Hutchings: Point-Charge Calculations of Energy Levels of Magnetic Ions in Crystalline Electric Fields, 227-273頁.
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C.K. JΦrgensen: Absorption Spectra and Chemical Bonding in Complexes, Pergamon Press, London and New York, 1962, 352頁, 15×23cm, 70s.
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G.Ya.Lyubarskii: The Application of Group Theory in Physics, Pergamon Press, Oxford/London/New York 1960, 380頁, 14×22cm, 63s.
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J.C.Slater: Quantum Theory of Atomic Structure, Vol.II. Mc Graw-Hill Book Company, Inc., New York, 1960, 439頁, 15×23cm, $
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