31p-G-9 化合物半導体中の遷移金属不純物の多重項構造(31pG 半導体(深い不純物))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 上村 洸

  東大理

• 渡辺 聡

  東大理

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