29a-H-11 グラファイトの常磁性シフトの計算(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 21aYE-5 固体表面上における DNA の変形と電気伝導
- 5a-PS-11 STM探針・表面間の電子移動とAFMのシミュレーション
- 3a-ZE-5 近接効果領域でのバリスティックな準粒子の振舞い
- 5p-B1-4 面内及び面間相互作用のある層状超伝導体
- 5p-B1-3 層状物質における超伝導理論
- 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
- 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
- 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
- 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
- 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
- 30a-J-12 フラーレンにおける多角形構造II : 多角形欠陥を含む極小曲面
- 30a-J-11 フラーレンにおける多角形構造I : 多角形欠陥およびらせん転位
- 4a-RJ-5 Si(111)7×7面のModified Milk Stool模型の電子論的検討
- Si(111)7×7再構成表面の原子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 4p-NM-12 非断熱過程を含む動的吸着理論
- 3a-NM-10 金属面上における水素分子の解離吸着の力による解析
- 2a-NM-6 Si(III)表面上の空格子の形成エネルギーとそのまわりの歪-化学擬ポテンシャル法-
- 31a-J-8 Si(111)表面に吸着したAgの電子状態
- 30p-J-9 極性表面の電子状態
- 30p-J-3 亜鉛表面へのCO分子の吸着
- 4a-E-11 DV-X_αクラスター法によるSi表面の電子状態と吸着
- 4a-E-8 酸化物表面の電子状態理論 : ZnOの場合
- 3p-E-12 亜鉛表面への酸素の吸着
- 3p-E-6 吸着における束縛エネルギーの計算
- 3p-E-4 侵入型化学吸着 II
- J. C. Slater: The Calculation of Molecular Orbitals, John Wiley, New York, 1979, vi+104ページ, 23.5×16cm, 4,910円.
- 27p-Q-7 半導体表面の理論的研究の現状と将来
- 30a-U-9 遷移金属における侵入型化学吸着
- 30a-U-7 BCC遷移金属表面の電子状態と吸着
- 30a-U-3 Si表面の電子状態密度 : DV-Xαクラスター法
- 30a-U-1 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
- 4a-E-6 K/Si(100)2×1の電子構造とオーバレイヤープラズモン
- 1a-RJ-11 擬1次元オーバーレイヤープラズモンの電子エネルギー損失スペクトル
- 29a-Y-3 ジェリウム薄膜の電子状態と吸着の理論
- はしがき ( マイクロクラスター)
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 6p-B-5 ダイナミックモード原子間力顕微鏡におけるカンチレバーのダイナミクス
- 29p-BPS-40 遷移金属上の単原子グラファイトのSTM像の理論
- 25p-PS-57 Si(111)√×√-B/defect表面のSTSにおける負性微分抵抗の理論
- 5p-E-8 Si(111)√3×√3-B/defect表面のSTSにおける負微分抵抗の理論
- 2a-T-3 STM/STSにおける探針の組成の効果
- 30p-TA-4 Si表面に吸着したホウ素サイトのSTSシミュレーション
- 6a-T-9 グラファイトのSTM像の非経験的計算
- 6a-T-8 探針のクラスター模型によるSTSの理論
- 20pYE-9 グリーン関数による単分子の電気伝導の第一原理計算
- 20aPS-77 テープポルフィリン及ビベンゾチオフェンらせん分子の量子輸送
- 20aPS-76 3 端子分子架橋系の量子輸送
- 2a-T-5 クーロンブロッケードの数値シミュレーション
- 2a-T-4 接合系の電子移動
- 3p-C4-7 電界脱離の機構と速度方程式
- 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
- 27p-N-4 STMにおける電子過程の諸問題
- 2p-E-4 媒質系と結合した動的Newns-Anderson模型による電子移動
- 11a-A-8 化学吸着・物理吸着系での電界蒸発
- 30a-H-3 Si(111)√3×√3-Bi表面のSTM像の理論計算
- 28a-Y-3 Si(111)√×√-Sbおよび-Bi表面のSTM像の理論計算
- 30p-ZF-6 STM像における探針の傾きの影響
- 30a-ZD-4 Si(111)?×?-Ag表面のSTM像の理論計算
- 31p-PSB-54 Si(100)2×1表面上のC_単分子層の理論的研究
- 28a-J-6 Si(100)2×1表面上のC_単分子層のバンド構造
- 30aYE-6 リカージョン伝達行列法による電界放射の第一原理計算(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 1p-YE-5 原子架橋のコンダクタンスの理論計算
- 5a-B-10 原子架橋のコンダクタンス
- 29a-PS-11 STM探針によるSi表面原子引き抜きの理論計算
- STMによるSi表面の原子操作の理論計算
- 31p-PSB-20 第一原理リカージョン伝達行列法によるSi表面のSTMの理論計算
- 24pY-9 Si(001)表面における水分子のダイナミクス
- 31a-S-9 Si(001)修飾面における水分子の移動と解離吸着
- 26p-YM-5 Si(001)清浄表面における水の協調的相互作用
- 5a-B-3 Si(001)水素終端面での水の吸着状態の第一原理計算
- 4a-R-4 コイル状カーボンナノチューブの電子状態
- 3p-S-7 クラスターへの電子付着の理論
- 14a-DJ-1 低速イオンと表面との相互作用2
- 30a-E-6 低速イオンと表面との相互作用
- 31P-T-2 グラファイトへき開面上の原子スケール摩擦現象の理論解析
- 2次元量子化摩擦のシミュレイションと実験結果の比較
- 12p-DH-5 単原子層グラファイトのSTMにおけるモアレ像のシミュレーション
- 26a-Z-7 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの理論
- 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
- 27a-ZF-2 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの電子状態とSTM像
- 31p-R-10 h-BN1Ni(111)の電子状態の計算
- 29a-E-4 グラファイト層間化合物間の相互作用について
- 2a-NM-5 シリコン(111)面上空格子点の電子状態 II
- 2p-N-4 Combined OPW-TB法によるグラファイトのバンド計算 II
- 30p-D-4 Si(111)2×1/Alkali系の電子状態
- 28a-YM-5 Ge(001)表面の秩序・無秩序相転移のモンテカルロシミュレーション
- 13a-H-2 表面反転層の凹凸によるキャリアの束縛と散乱
- 28a-Y-5 STM探針と表面間の原子移動機構
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 25pYF-13 一次元電極に接続されたフラーレンの内部電流
- 29pZP-16 ナノチューブトーラス中の常磁性永久電流(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 25pF-12 ナノチューブ接合系の量子輸送
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 8a-PS-103 実空間における電子状態計算法IV
- 31a-PS-29 実空間における電子状態計算法III
- 31p-PSB-43 実空間における電子状態計算法II
- 28p-PSB-1 実空間における電子状態計算法
- 26p-ZB-7 くびれのあるS-N-S系のジョセフソン電流