29a-PS-11 STM探針によるSi表面原子引き抜きの理論計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-03-17

著者

• 小林 伸彦

  筑波大院数理物質電物

• 広瀬 賢二

  NECナノエレ研

• 塚田 捷

  東大理

• 小林 伸彦

  東大理

• 広瀬 賢二

  NEC北米研

関連論文

• 領域9,領域7「分子狭窄系の物理」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
• 23pGL-3 電極表面上のカーボンナノチューブのSTM像(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aGL-11 大規模量子伝導シミュレーションのナノカーボン系への応用(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-14 グラフェンナノリボンにおける多端子電気伝導(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aYE-5 固体表面上における DNA の変形と電気伝導
• 5a-PS-11 STM探針・表面間の電子移動とAFMのシミュレーション
• 3a-ZE-5 近接効果領域でのバリスティックな準粒子の振舞い
• 5p-B1-4 面内及び面間相互作用のある層状超伝導体
• 5p-B1-3 層状物質における超伝導理論
• 26aYE-1 ナノカーボン系の量子伝導における不純物とフォノン散乱効果(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYH-3 カーボンナノチューブ伝導でのフォノン効果の計算 : 拡散領域・バリスティック領域と位相緩和(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-3 カーボンナノチューブのフォノン散乱が引き起こす拡散伝導現象(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWB-11 カーボンナノチューブの輸送特性における電子-フォノン散乱の効果(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRC-12 時間依存波束拡散法によるCNTトランジスタの伝導特性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aRJ-6 カーボンナノチューブの電気伝導における電子-フォノン散乱効果(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
• 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
• 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
• 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
• 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
• 30a-J-12 フラーレンにおける多角形構造II : 多角形欠陥を含む極小曲面
• 30a-J-11 フラーレンにおける多角形構造I : 多角形欠陥およびらせん転位
• 4a-RJ-5 Si(111)7×7面のModified Milk Stool模型の電子論的検討
• Si(111)7×7再構成表面の原子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 4p-NM-12 非断熱過程を含む動的吸着理論
• 3a-NM-10 金属面上における水素分子の解離吸着の力による解析
• 2a-NM-6 Si(III)表面上の空格子の形成エネルギーとそのまわりの歪-化学擬ポテンシャル法-
• 31a-J-8 Si(111)表面に吸着したAgの電子状態
• 30p-J-9 極性表面の電子状態
• 30p-J-3 亜鉛表面へのCO分子の吸着
• 4a-E-11 DV-X_αクラスター法によるSi表面の電子状態と吸着
• 4a-E-8 酸化物表面の電子状態理論 : ZnOの場合
• 3p-E-12 亜鉛表面への酸素の吸着
• 3p-E-6 吸着における束縛エネルギーの計算
• 3p-E-4 侵入型化学吸着 II
• J. C. Slater: The Calculation of Molecular Orbitals, John Wiley, New York, 1979, vi+104ページ, 23.5×16cm, 4,910円.
• 27p-Q-7 半導体表面の理論的研究の現状と将来
• 30a-U-9 遷移金属における侵入型化学吸着
• 30a-U-7 BCC遷移金属表面の電子状態と吸着
• 30a-U-3 Si表面の電子状態密度 : DV-Xαクラスター法
• 30a-U-1 DV-Xα法による固体および表面のバンド計算
• 4a-E-6 K/Si(100)2×1の電子構造とオーバレイヤープラズモン
• 1a-RJ-11 擬1次元オーバーレイヤープラズモンの電子エネルギー損失スペクトル
• 29a-Y-3 ジェリウム薄膜の電子状態と吸着の理論
• はしがき ( マイクロクラスター)
• 25pWS-7 グラフェンナノリボンにおける多端子電気伝導(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWX-10 時聞依存波東拡散法を用いたナノカーボン系の大規模電気伝導計算(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
• 6p-B-5 ダイナミックモード原子間力顕微鏡におけるカンチレバーのダイナミクス
• 29p-BPS-40 遷移金属上の単原子グラファイトのSTM像の理論
• 25p-PS-57 Si(111)√×√-B/defect表面のSTSにおける負性微分抵抗の理論
• 5p-E-8 Si(111)√3×√3-B/defect表面のSTSにおける負微分抵抗の理論
• 2a-T-3 STM/STSにおける探針の組成の効果
• 30p-TA-4 Si表面に吸着したホウ素サイトのSTSシミュレーション
• 6a-T-9 グラファイトのSTM像の非経験的計算
• 6a-T-8 探針のクラスター模型によるSTSの理論
• ナノ構造のコンダクタンスの理論
• 20pYE-9 グリーン関数による単分子の電気伝導の第一原理計算
• 20aPS-77 テープポルフィリン及ビベンゾチオフェンらせん分子の量子輸送
• 20aPS-76 3 端子分子架橋系の量子輸送
• 2a-T-5 クーロンブロッケードの数値シミュレーション
• 2a-T-4 接合系の電子移動
• 3p-C4-7 電界脱離の機構と速度方程式
• 3p-C4-4 Si(100)2x1/K(被覆度=1/2,1)の電子状態
• 27p-N-4 STMにおける電子過程の諸問題
• 2p-E-4 媒質系と結合した動的Newns-Anderson模型による電子移動
• 電気伝導シミュレーションの現状と課題(電子状態の第一原理計算の現状と課題)
• 27aXD-4 ナノ領域での量子伝導計算 : RTM法と非平衡グリーン関数法の融合(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aXD-3 非平衡グリ-ン関数法による電極接合ナノチューブの電気伝導の第一原理計算(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 30aYE-6 リカージョン伝達行列法による電界放射の第一原理計算(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 1p-YE-5 原子架橋のコンダクタンスの理論計算
• 5a-B-10 原子架橋のコンダクタンス
• 29a-PS-11 STM探針によるSi表面原子引き抜きの理論計算
• STMによるSi表面の原子操作の理論計算
• 31p-PSB-20 第一原理リカージョン伝達行列法によるSi表面のSTMの理論計算
• 31a-S-11 リカージョン伝達行列法による表面間原子の電子状態
• 28a-WC-3 単原子操作における探針の効果の第一原理計算
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 走査トンネル顕微鏡による単原子操作の理論
• 12p-Dh-4 超微小トンネル接合系での電流-電圧特性の第一原理計算
• 29a-H-11 強電流・強電解下での表面電子状態
• 28a-Y-5 STM探針と表面間の原子移動機構
• 26aYH-10 第一原理伝導計算による金属電極に挟まれたSi原子鎖の電子輸送特性解析(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-9 電極表面上のカーボンナノチューブの電子状態(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXA-9 Si原子鎖の第一原理電子輸送解析(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYC-5 ナノギャップ電極接合系の伝導計算法と単一分子伝導(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤーの熱伝導計算 (第30回表面科学学術講演会特集号(2))
• 28aTH-6 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導計算(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTN-2 単結晶有機半導体のホール伝導度計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTG-9 共役有機分子系の第一原理電気伝導計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 原子レベルからのマルチスケール量子伝導計算 (小特集 外場のある系の第一原理計算)
• 24pHA-10 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導解析(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-4 共役有機分子系の第一原理電子輸送計算(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTG-2 単結晶有機薄膜のキャリア輸送とホール伝導度計算(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤーの熱伝導計算
• 原子レベルからのマルチスケール量子伝導計算
• 24pCF-12 波束ダイナミクス法を用いた有機半導体のキャリア伝導計算(24pCF 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFH-3 3次元有機半導体結晶のキャリア伝導シミュレーション : 熱揺らぎが引き起こす分子のスライド運動効果(18aFH 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFH-2 有機半導体における分子間相互作用の理論計算(18aFH 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXK-3 第一原理計算による原子間ポテンシャル作成と熱伝導計算への応用(29aXK ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク