29a-H-11 強電流・強電解下での表面電子状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-03-16

著者

• 広瀬 賢二

  NECナノエレ研

• 塚田 捷

  東大・理

• 広瀬 賢二

  東大理

• 広瀬 賢二

  東大・理

関連論文

• 23aGL-11 大規模量子伝導シミュレーションのナノカーボン系への応用(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 一次元鎖のついた環状分子の透過率と電流分布
• 26a-Z-4 銀(110)表面の酸素吸着(理論的研究)
• 27p-E-9 走査トンネル顕微鏡からの発光の微視的理論
• 27p-ZB-9 S-N-S接合系における準粒子の状態とSTM
• S-N-S接合系における準粒子の状態とSTM
• 31a-TB-1 超伝導超格子の理論
• 3a-ZE-6 不均一な系の超伝導の理論
• 26aYE-1 ナノカーボン系の量子伝導における不純物とフォノン散乱効果(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYH-3 カーボンナノチューブ伝導でのフォノン効果の計算 : 拡散領域・バリスティック領域と位相緩和(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-3 カーボンナノチューブのフォノン散乱が引き起こす拡散伝導現象(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWB-11 カーボンナノチューブの輸送特性における電子-フォノン散乱の効果(ナノチューブ(伝導),領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRC-12 時間依存波束拡散法によるCNTトランジスタの伝導特性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aRJ-6 カーボンナノチューブの電気伝導における電子-フォノン散乱効果(ナノチューブ・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30a-J-13 炭素原子ハニカム格子曲面中の多角形欠陥における電子状態
• 30a-J-10 カーボンヘリックスのフェルミ面付近の電子状態とフェイゾンライン
• 26aWX-10 時聞依存波東拡散法を用いたナノカーボン系の大規模電気伝導計算(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25p-PS-55 LCAOを越えたSTM/STSの理論シミュレーション(II)
• ナノ構造のコンダクタンスの理論
• 28pPSB-62 ポルフィリン分子ワイヤーの伝導と磁性
• 27p-D-3 酸化物の表面状態
• 電気伝導シミュレーションの現状と課題(電子状態の第一原理計算の現状と課題)
• 27aXD-4 ナノ領域での量子伝導計算 : RTM法と非平衡グリーン関数法の融合(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aXD-3 非平衡グリ-ン関数法による電極接合ナノチューブの電気伝導の第一原理計算(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 30aYE-6 リカージョン伝達行列法による電界放射の第一原理計算(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 1p-YE-5 原子架橋のコンダクタンスの理論計算
• 5a-B-10 原子架橋のコンダクタンス
• 29a-PS-11 STM探針によるSi表面原子引き抜きの理論計算
• STMによるSi表面の原子操作の理論計算
• 31p-PSB-20 第一原理リカージョン伝達行列法によるSi表面のSTMの理論計算
• 31a-S-11 リカージョン伝達行列法による表面間原子の電子状態
• 28a-WC-3 単原子操作における探針の効果の第一原理計算
• 2p-D-13 コイル状カーボンナノチューブの電子状態への回位の寄与
• 29p-WB-6 コイル状カーボンナノチューブの電子状態II
• 摩擦力顕微鏡におけるグラファイト表面の原子スケール摩擦の荷重依存性
• 3p-K-5 FFMによるグラファイトの原子スケール摩擦像の計算
• 26a-Z-6 Ni(111)面上の単原子層グラファイトの電子状態
• 走査トンネル顕微鏡による単原子操作の理論
• 12p-Dh-4 超微小トンネル接合系での電流-電圧特性の第一原理計算
• 29a-H-11 強電流・強電解下での表面電子状態
• 28a-Y-5 STM探針と表面間の原子移動機構
• 25aYF-3 ナノチューブ接合系の整流作用
• 29a-XA-8 ナノチューブ接合系の透過率と波動関数
• 25p-M-13 ナノチューブ多重接合系のバンド間の縮退と反発
• 31p-YX-3 ナノチューブ多重接合系の電子波透過率とバンド構造
• 6p-B-6 人工ナノ回路のバリスティック伝導
• 8p-D-5 ナノチューブ多重接合系における電子波透過
• ナノチューブ接合系における共鳴的な電気伝導度
• 2p-D-12 ナノチューブ接合系のランダウアー公式による電気伝導度
• 31a-TB-6 S-N-S接合系のジョセフソン電流
• 24p-M-4 GaAs-AlAsフィボナッチ超格子の電子状態
• 28a-S-10 AFMの理論シミュレーション : 力分布の解析
• 3p-Q-4 有限要素法とクラスター模型を組み合わせたAFMの理論シミュレーション
• 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤーの熱伝導計算 (第30回表面科学学術講演会特集号(2))
• 28aTH-6 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導計算(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTN-2 単結晶有機半導体のホール伝導度計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTG-9 共役有機分子系の第一原理電気伝導計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 原子レベルからのマルチスケール量子伝導計算 (小特集 外場のある系の第一原理計算)
• 26aPS-43 Si(001)およびGe(001)表面のP型欠陥の拡散ポテンシャル面
• 5a-PS-9 LCAOを越えたSTM/STSの理論シミュレーション
• 6a-T-7 吸着分子のFIM像に関する理論的研究
• 4p-B4-1 クラスターにおける共鳴電子状態
• 24pHA-10 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導解析(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-4 共役有機分子系の第一原理電子輸送計算(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTG-2 単結晶有機薄膜のキャリア輸送とホール伝導度計算(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤーの熱伝導計算
• 原子レベルからのマルチスケール量子伝導計算
• 24pCF-12 波束ダイナミクス法を用いた有機半導体のキャリア伝導計算(24pCF 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFH-3 3次元有機半導体結晶のキャリア伝導シミュレーション : 熱揺らぎが引き起こす分子のスライド運動効果(18aFH 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFH-2 有機半導体における分子間相互作用の理論計算(18aFH 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXK-3 第一原理計算による原子間ポテンシャル作成と熱伝導計算への応用(29aXK ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29p-FB-2 GICの化学シフトの計算(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))
• 28p-SC-1 スズ微笑ジョセフソン接合のI-V特性II(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))
• 28p-LD-2 半導体界面におけるバンド不連続(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク