3a-A-10 金属-誘電体界面の表面プラズモンポラリトン

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1985-09-13

著者

• 黒沢 宏

  阪府大工

• 潮田 資勝

  東北大通研

• Pierce R.M.

  UCI

• Hemminger J.C.

  UCI

関連論文

• 12aPS-7 スピン偏極二次電子顕微鏡による Fe/Si/Fe の交換結合測定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 2p-T-8 真空紫外光照射によるSiO2の酸素の脱離
• 27pC-2 ゲルマニウム超微粒子のトンネル分光
• 第2回ナノスケール分光法とナノテクノロジーへの応用 : 国際ワークショップ報告
• 2p-Q-8 CdPS_3:Fe^のサブミリ波ESR
• 29pPSB-45 Ge_2Sb_2Te_5とSb_2Te_3のSTM発光分光(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-1 ピコ秒レーザー照射下のSTM発光スペクトル(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 走査型トンネル顕微鏡(STM)発光の高感度計測技術
• 23aTD-9 完全に孤立した金属微粒子のSTM発光分光(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pTD-2 Ni(110)上に吸着した酸素原子のSTM発光振動分光 : 同位体効果(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-7 Ni(110)-(2×1)O表面のナノドメインの電子物性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• レーザー光電子スペクトル中に現れる振動励起非弾性構造
• 19aWH-8 Ni(110)-(2×1)Oの局所振動分光(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pWH-6 光電子の表面振動励起非弾性放出におけるエネルギー利得過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYC-1 O/Cu(001)表面の非弾性光電子放出(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-67 Ni(110)-(1×2)OのSTM発光スペクトル(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYB-7 Cu(110)に吸着した酸素原子のSTM発光振動分光(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 超低速光電子分光による放出光電子のエネルギー損失観測
• 1D09 ポリイミド膜上の4CBモノレイヤーの異方的分子配向(トピカルセッション-ソフトマターと液晶-, 2005年日本液晶学会討論会)
• 1A07 ポリイミド光配向膜上のポリフルオレン薄膜の分子配向(トピカルセッション-分子配向が拓く有機エレクトロニクス-, 2005年日本液晶学会討論会)
• 22pXF-6 ロックイン技術を用いた光電子の分子振動励起によるエネルギー損失の測定法(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-5 吸着分子の振動励起による非弾性光電子放出過程(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-5 Ni(110)-(2×1)OのSTM発光振動分光(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-4 エリスロシンB分子会合体からのSTM発光(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• PA08 骨格構造にアゾベンゼンを含むポリイミド光配向膜による液晶セルの黒表示特性の改善(2004年日本液晶学会討論会)
• 3PB06 ラビングされたポリイミド膜とその膜上の表面液晶層の分子配向の関係
• 31a-K-6 紫外光励起表面ラマン散乱によるNi(111)上のニトロベンゼンの研究
• 15a-DJ-4 TDSによるNi(111)上ニトロベンゼン薄膜の研究
• 4p-NQ-7 層間化合物MnPS_3-PyridineのESR
• 1p-B-12 層状化合物MPS_3の磁性 III : FePS_3,NiPS_3
• 1p-L-11 層状化合物MPS_3の磁性 II : MnPS_3
• Pretilt Angle of Liquid Crystals Induced by Photo-Aligned Films of Polyimide Containing Azobenzene in the Backbone Structure(Electronic Displays)
• 30aYE-10 Csを吸着させた単結晶金属表面の低エネルギー光電子分光(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 1D03 アゾベンゼンを主鎖に含むポリイミドの光誘起傾斜配向 : 無偏光斜め照射のみ(2004年日本液晶学会討論会)
• 12aXG-5 カーボンナノチューブの STM 探針増強ラマン分光(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• PA06 アゾベンゼンを主鎖に含むポリイミドの光誘起傾斜配向 : 照射エネルギー依存性(物理・物性)
• 3A11 アゾベンゼンを主鎖に含むポリイミドの光誘起傾斜配向と液晶のプレチルト角の関係(物理・物性)
• 3A10 紫外光照射によって誘起されるポリイミド分子の傾斜配向(物理・物性)
• 走査型トンネル顕微鏡の発光分光による表面ナノ物性計測
• 1C12 紫外光照射されたポリイミド膜表面とその膜上の液晶単分子層の分子配向の関係(物理・物性)
• 1C11 アゾベンゼンを主鎖に含むポリアミック酸膜の光照射及びイミド化による分子配向変化(物理・物性)
• 19aRH-10 Au(111)面上のC_単分子層アイランドのSTM発光分光
• 2a-Q-2 Cs, O_2/p-GaAs共吸着系における表面SHGと光電子放出の相関
• 15a-DJ-2 InP(110)面の表面SH強度入射角依存性
• 29p-G-7 SHGによるCs/GaAs(100)表面の研究
• 28a-ZF-9 InP(011)面の表面SHG
• 28pWD-4 Cu 単結晶表面の低速光電子分光
• 3a-A-16 MnPS_3にインターカレートされたピリジンのラマン散乱
• 3a-A-10 金属-誘電体界面の表面プラズモンポラリトン
• 1p-K-12 MPX_3層状化合物のラマン散乱
• 2p-L-2 FePS_3 の強磁場磁化過程
• 3a-T-11 CdPS_3:Mn_のESR
• 31p GM-4 MmPS_3の磁性
• 3a-LE-6 NiOの面内磁気異方性
• 電子化出版についての国際パネル討論会報告
• 28a-G-3 Si_Ge_x結晶の光第二高調波発生
• 2a-Q-10 遅延を考慮したHREELS理論
• 14pXF-10 Erythrosin B 会合体の STM 発光(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 13aXG-9 Ag 探針を用いた Ni(110)-H の STM 発光分光(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 13aXG-8 銀探針を用いた単一分子の STM 発光分光(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 12aXF-11 Pt(110) 表面の CO 吸着(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYE-8 HOPG 上単一 R6G 分子の STM 発光スペクトル
• 23aYE-7 Cu (110) 基板上に吸着した単一 CO 分子の STM 発光スペクトル
• 1p-Z-6 気体N_2, O_2, COの絶対ラマン散乱断面積
• 2p-A-16 トンネル接合からの発光機構
• トンネル接合からの発光(固体の表面・界面における電子励起状態と緩和過程の研究,科研費研究会報告)
• 27a-D-8 銀の膜に物理吸着と化学吸着したピリジン分子の相対ラマン散乱強度
• 29p-G-6 TMA/GaAs(100)のラマン観測
• 27p-ZS-13 TDSによるCs/p-GaAs(100)系のNEA阻害要因の研究
• 5a-PS-49 Ni(111)面上のニトロベンゼン多層膜
• 2a-E-4 TDSによるCs+O_2/GaAs(100)NEA表面の研究
• 3p-T-2 界面粗さのある多層膜中の分子のラマン散乱
• 会長より年頭のご挨拶
• 会長より年頭のご挨拶
• 28a-ZF-4 Ni(111)面上の物理吸着ニトロベンゼン層のラマン散乱断面積
• 4a-C4-8 Ni(111)面上のニトロベンゼンのラマン散乱III
• 26p-O-9 Ni(111)面上のニトロベンゼンのラマン散乱
• 28a-F-4 Cs/Si(100)2×1系の昇温脱離分光
• 4a-C4-3 ラマン散乱によるCs/GaAs系のバンドベンディングの評価
• 2p-PSA-40 H/Si(111)の絶対ラマン散乱断面積
• 1p-Z-5 銀電極上に吸着したピリジンのラマン散乱強度の観測角依存性
• 4a-C4-9 金属表面近傍の双極子の発光パターンII : 表面粗さを考慮した理論計算
• 2p-C-15 プリズム結合トンネル発光接合の理論解析(イオン結晶・光物性)
• 2p-F4-7 金属表面近傍の双極子の発光パターン(表面・界面)
• 2p-F4-8 自由および吸着ピリジンの基準振動解析(表面・界面)
• 2p-F4-9 Ni(111)面上のニトロベンゼンのラマン散乱II(表面・界面)
• 7pPSB-12 STM発光分光によるAlGaAs/GaAs量子井戸構造中の電子輸送特性の評価(領域4)
• 29p-TC-5 STMによる発光トンネル接合の表面粗さ計測(29pTC 表面・界面)
• 29p-TC-6 プリズム結合発光トンネル接合の解析 : 高次項の効果(29pTC 表面・界面)
• 30p-TJ-14 銀蒸着膜上の銅フタロシアニンのラマン散乱断面積(30pTJ 表面・界面)
• 1a-PS-8 層状化合物MnPS_3の磁性(1p PS 磁性ポスターセッション(人工格子・強磁場・Laves相・磁気測定))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク