4a-Q-10 TOF-ESDによるシリコン清浄表面上の微量酸素の検出
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- 24pPSA-44 電子励起脱離法によるNi(110)上のCOからのイオン脱離の研究
- グラファイト基板上へのカーボンナノ構造の成長
- Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
- 走査型トンネル顕微鏡によるBa/Si(100)の成長過程の観察
- 30pYQ-6 グラファイト上の多層ナノチューブの原子ギアロックによる転がり
- 25aTA-1 グラファイト上の多層ナノチューブの配向と高分解摩擦力像
- 25aT-12 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
- 25aT-1 C_、C_薄膜の摩擦力像の異方性
- 24aPS-60 Phを媒介とするAgナノ構造の形成と制御
- 23pW-7 ナノロープの滑りと摩擦力像
- 26aPS-54 C_、C_ナノチューブのナノ摩擦
- シリコン材料におけるSTM
- 29a-PS-8 Sn吸着によるSi(110)面の凹凸周期構造の変調
- 走査型水素検出顕微鏡の開発とその応用
- 31p-YF-13 Si(110)清浄表面 : "16構造"の原子配列のSTM観察
- 31a-PS-15 Si(110)表面原子配列への微量ニッケルの及ぼす影響
- 8p-B-12 TOF-ESDによる固体表面上の水素の二次元局所分析
- 8a-H-12 Sn/Si(110)の被覆率依存性のSTM観察
- 29a-PS-53 TOF-ESDとFTIRのその場観察による金属表面へのCOの吸着
- 29a-PS-51 スズ吸着Si(111)表面局所構造と水素照射効果
- 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
- 低速イオン散乱法によるSi(100)表面へのヘテロエピタキシー
- 26p-O-5 Modified Surface へのCOの吸着
- バナジウム系水素吸蔵合金からの水素の電子励起脱離
- 30a-A-12 Mo(110)面析出SのISS,LEEDによる表面構造解析
- 電子線偏極とその表面研究への応用
- 11a-M-1 e^--Hg非弾性散乱のひずみ波近似による考察
- 2p-RJ-5 金属表面上のガス吸着と脱離(I)
- 31p-J-2 TOF-ESDによるPt(100)上の水素の振舞い
- 806 ウェーブレットを用いた顕微鏡画像の画像処理
- 27a-ZD-5 電子励起脱離によるシリコン表面への水素吸着
- 水素顕微鏡によるMg-Ni系2相合金表面に吸着・吸蔵した水素の2次元分布状態の観察
- 23pWA-16 水素吸蔵合金の電子励起誘起水素偏析
- 29a-PF-47 TOF-ESDによる金属表面上の水素原子の挙動
- アルカリハライドからの電子励起イオン脱離(I)
- 電子励起脱離法を応用した水素顕微鏡 : 水素の可視化
- 電子励起を応用した水素顕微鏡
- 走査型水素顕微鏡によるポーラスシリコン上の水素と酸素の挙動
- 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布 (特集 材料の中の水素を視るテクノロジー)
- 新世紀の表面科学研究への期待
- 走査型電子励起脱離顕微鏡による水素の2次元化学状態分析
- SEM-EDXによる深さ方向分析
- 25aT-13 走査型プロトスコープによる水素のケミカルアナリシス
- 29a-U-7 NaCl上の金属蒸着膜のAES.TEMによる研究
- 水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御
- 水素顕微鏡による水素の挙動の観察
- 1a-S-4 Si(111)2×1構造のLEEDによる研究
- 直視型脱離イオン観察装置(ESDIAD) (マイクロチャネルプレ-トを利用した表面研究技術(技術ノ-ト))
- サマリー・アブストラクト
- Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
- 水素顕微鏡による水素の挙動の観察
- 電子励起イオン脱離法による水素の分析
- 電子励起脱離法による表面上の水素と酸素の挙動
- 電子励起イオン脱離法による走査型水素検出顕微鏡
- 走査型水素検出顕微鏡
- 29a-PS-9 STMによるSi(100)表面および水素終端Si(100)表面Ni吸着系の研究
- 5.局所表面分析の基礎(炉壁材料分析技術IV)
- 水素吸着Si(001)表面の熱アニールによる再結晶化過程
- 電子励起脱離によるシリコン表面上の微量酸素の検出
- 4a-Q-10 TOF-ESDによるシリコン清浄表面上の微量酸素の検出
- 電子励起脱離 (ESD) 法
- 表面状態の解析-27-電子励起脱離法による固体表面の動的観察
- 28p-Z-9 H/SiからのH^+の電子励起脱離のしきい値エネルギー
- 27p-ZF-2 CO/Ni(110)からの電子励起脱離O^+のエネルギー分布
- 電子励起イオン脱離実験による真空の質の検討
- 30a-TA-2 TOF-ESDによるSi(111), Si(100)面からの水素の検知
- 金属および半導体表面上の水素の検知と脱離
- TOF型電子励起イオン脱離によるチタン表面への酸素吸着の研究
- 電子励起イオン脱離による水素の検知
- 5a-B4-3 電子衝撃イオン脱難のT-O-Fスペクトロメトリー
- 27a-D-6 金属表面へのガス吸着と脱離の研究 (IV)
- 2a-E-8 金属表面上のガス吸着と脱離の研究(II)
- 2a-E-7 昇温脱離における振動現象の観察
- 3p-RJ-12 RHEED-LEED-AESによるSn/Si(001)系の超格子構造
- RHEEDパタンによる表面構造の解析法について
- CO/Mo系における電子励起イオン脱離の研究
- RHEEDパターンの簡易解析法
- 13p-Y-9 Si(001)のRHEEDによる表面波共鳴について
- パーソナルコンピューターによる昇温脱離スペクトルの高速処理システム
- チタンコーティングしたステンレス鋼表面のオージェ分析
- マイクロコンピュータのオージェ分析への応用
- 2a-Q-2 LEED-AESによるSi(111)上の金属膜結晶の観察(I)
- 1a-F4-5 金属表面上COのTDSとESD(表面・界面)
- 3a-A1-11 金属表面上のガス吸着と脱離の研究(III)(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)