2p-RJ-5 金属表面上のガス吸着と脱離(I)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-03-12

著者

• 橋本 初次郎

  阪大工

• 上田 一之

  豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター

• 妻鹿 哲也

  阪大工

• 上田 一之

  阪大工

• 木下 敬之

  阪大工

関連論文

• 5p-E-5 半導体-金属界面の高分解能電子顕微鏡による横断面観察
• 14a-T-11 高分解能電子顕微鏡用エネルギーフィルターの製作と応用
• 24pPSA-44 電子励起脱離法によるNi(110)上のCOからのイオン脱離の研究
• グラファイト基板上へのカーボンナノ構造の成長
• Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
• 走査型トンネル顕微鏡によるBa/Si(100)の成長過程の観察
• 30pYQ-6 グラファイト上の多層ナノチューブの原子ギアロックによる転がり
• 25aTA-1 グラファイト上の多層ナノチューブの配向と高分解摩擦力像
• 25aT-12 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
• 25aT-1 C_、C_薄膜の摩擦力像の異方性
• 24aPS-60 Phを媒介とするAgナノ構造の形成と制御
• 23pW-7 ナノロープの滑りと摩擦力像
• 26aPS-54 C_、C_ナノチューブのナノ摩擦
• シリコン材料におけるSTM
• 29a-PS-8 Sn吸着によるSi(110)面の凹凸周期構造の変調
• 走査型水素検出顕微鏡の開発とその応用
• 31p-YF-13 Si(110)清浄表面 : "16構造"の原子配列のSTM観察
• 31a-PS-15 Si(110)表面原子配列への微量ニッケルの及ぼす影響
• 8p-B-12 TOF-ESDによる固体表面上の水素の二次元局所分析
• 8a-H-12 Sn/Si(110)の被覆率依存性のSTM観察
• 29a-PS-53 TOF-ESDとFTIRのその場観察による金属表面へのCOの吸着
• 31p-M-5 Cuの初期酸化において生じたCu_4Oの構造解析
• 29a-PS-51 スズ吸着Si(111)表面局所構造と水素照射効果
• 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
• 低速イオン散乱法によるSi(100)表面へのヘテロエピタキシー
• 2p-E-12 金(111)結晶表面原子高分解能電子顕微鏡による観察
• 26p-O-5 Modified Surface へのCOの吸着
• バナジウム系水素吸蔵合金からの水素の電子励起脱離
• 30a-A-12 Mo(110)面析出SのISS,LEEDによる表面構造解析
• 電子線偏極とその表面研究への応用
• 11a-M-1 e^--Hg非弾性散乱のひずみ波近似による考察
• 7p-A-13 300-2000eV領域でのe^--Hg非弾性散乱
• 7p-R-4 e^--Hg散乱を用いたスピン偏極ディテクタ(I)計算
• 13a-T-7 高分解能電子顕微鏡による原子過程の直接観察
• 30a-H-4 金結晶格子欠陥の芯構造と挙動の観察
• 29a-H-5 Au及びSi中の点欠陥の高分解能電子顕微鏡による観察
• 3a GJ-11 双晶境界格子欠陥の原子配列の電顕観察
• 5p-BK-8 電子線による動的解析(透過型電子顕微鏡による結晶内原子像の動的観察まで)
• 2p-RJ-5 金属表面上のガス吸着と脱離(I)
• 31p-J-2 TOF-ESDによるPt(100)上の水素の振舞い
• 2a-E-1 コンピュータによる微小制限視野回析法の格子欠陥解析への応用
• 806 ウェーブレットを用いた顕微鏡画像の画像処理
• 27a-ZD-5 電子励起脱離によるシリコン表面への水素吸着
• 31p-M-6 厚いMgO結晶の格子像
• 14a-T-5 結晶格子像解析へのディジタル処理の応用
• 29p-L-11 格子欠陥格子像のon line FTの高解像化
• 2p-U-2 高速画像計測処理装置の開発と高分解能電子顕微鏡への応用
• 水素顕微鏡によるMg-Ni系2相合金表面に吸着・吸蔵した水素の2次元分布状態の観察
• 23pWA-16 水素吸蔵合金の電子励起誘起水素偏析
• 29a-PF-47 TOF-ESDによる金属表面上の水素原子の挙動
• アルカリハライドからの電子励起イオン脱離(I)
• 電子励起脱離法を応用した水素顕微鏡 : 水素の可視化
• 電子励起を応用した水素顕微鏡
• 走査型水素顕微鏡によるポーラスシリコン上の水素と酸素の挙動
• 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布 (特集 材料の中の水素を視るテクノロジー)
• 新世紀の表面科学研究への期待
• 走査型電子励起脱離顕微鏡による水素の2次元化学状態分析
• SEM-EDXによる深さ方向分析
• 25aT-13 走査型プロトスコープによる水素のケミカルアナリシス
• 4p-M-15 非弾性散乱波による結晶格子像コントラストの低下
• 29a-U-7 NaCl上の金属蒸着膜のAES.TEMによる研究
• 水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御
• 水素顕微鏡による水素の挙動の観察
• 1a-S-4 Si(111)2×1構造のLEEDによる研究
• 直視型脱離イオン観察装置(ESDIAD) (マイクロチャネルプレ-トを利用した表面研究技術(技術ノ-ト))
• 5a-P-12 電子顕微鏡による結晶格子像の光回折強度
• サマリー・アブストラクト
• Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
• 水素顕微鏡による水素の挙動の観察
• 電子励起イオン脱離法による水素の分析
• 電子励起脱離法による表面上の水素と酸素の挙動
• 電子励起イオン脱離法による走査型水素検出顕微鏡
• 走査型水素検出顕微鏡
• 29a-PS-9 STMによるSi(100)表面および水素終端Si(100)表面Ni吸着系の研究
• 5.局所表面分析の基礎(炉壁材料分析技術IV)
• 水素吸着Si(001)表面の熱アニールによる再結晶化過程
• 電子励起脱離によるシリコン表面上の微量酸素の検出
• 4a-Q-10 TOF-ESDによるシリコン清浄表面上の微量酸素の検出
• 電子励起脱離 (ESD) 法
• 表面状態の解析-27-電子励起脱離法による固体表面の動的観察
• 28p-Z-9 H/SiからのH^+の電子励起脱離のしきい値エネルギー
• 27p-ZF-2 CO/Ni(110)からの電子励起脱離O^+のエネルギー分布
• 電子励起イオン脱離実験による真空の質の検討
• 2a-E-8 金属表面上のガス吸着と脱離の研究(II)
• 13p-Y-9 Si(001)のRHEEDによる表面波共鳴について
• 1p-KK-3 マンガン酸バリウム系複酸化物の電顕観察
• 12a-N-1 BaMnO_系複酸化物の長周期構造の電顕観察
• 27a-F-3 ペロブスカイト酸素欠損型複酸化物の電顕観察
• 2a-M-8 MX_2 CDWの電子顕微鏡による研究(II)
• 4a-TB-5 電子顕微鏡による照射欠陥形成過程の観察
• 6p-H-3 斜長石の規則格子構造に対する原子位置
• 7p-S-2 液滴成長における液状酸化タングステンの生成条件
• 5a-P-6 超高圧電顕による試料汚染の加速電圧依存性
• 3a-B-10 TaS_2の超格子構造とその異常の電子顕微鏡による観察
• 29p-L-4 Ba_xCe_y(CO_3)_F_yの高分解能電子顕微鏡による研究
• ノーベルシンポジウム"結晶と分子内原子の直接像形成"
• T. G. Rochow and E. G. Rochow: An Introduction to Microscopy by Means of Light, Electrons, X-Rays, or Ultrasound, Plenum Press, New York and London, 1978, xvi+367ページ, 23.5×16cm, 9,560円.
• タイトル無し
• タイトル無し
• 3a-A1-11 金属表面上のガス吸着と脱離の研究(III)(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク