多元スパッタリングで作製した (Pb, La) TiO_3 薄膜の誘電特性と DRAM への応用
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概要
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(Pb, La)TiO_3 (PLT) thin films were fabricated by multiple-cathode RF-magnetron sputtering. PLT films deposited on Pt/SiO_2/Si at 460℃ had a perovskite structure with (111) preferred orientation. The diffuse phase transition behavior was observed for the deposited PLT thin films. Thickness dependence and La content dependence of the deposited PLT thin films on the electrical properties are discussed. The dielectric constant and leakage current of the 100-nm-thick PLT (La/Ti=0.28) thin films were 396 and 10^<-7>A/cm^2 (at a field of 500kV/cm), respectively. These results indicate that the PLT thin films fabricated by multiple-cathode RF magnetron sputtering are suitable for dynamic random access memory (DRAM) applications.
- 湘南工科大学の論文
- 1997-03-25
著者
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