Ar^+イオン照射法を用いたNbN/Pb(In)ジョセフソン素子の特性
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概要
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Josephson junctions were fabricated by ion irradiation. The base electrode, NbN, was prepared by reactive sputtering. After the NbN film surface was irradiated by Ar^+ ion (16.2kV), the counterelectrode, Pb (In) was evaporated in situ. The junctions showed the well-defined ac Josephson effect. The layer irradiated by Ar^+ ion showed metallic behavior, but its resistivities are very large compared to those of non-irradiated NbN films.
- 山梨大学の論文
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