分子ビーム注入におけるドーパント分子の解離距離の制御性
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概要
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A specific crystalline defect in diamond may work as a NOT gate in a quantum computer. It is called NV-N center that is composed of two substitutional nitrogen atoms that are separated by c.a. 1.5 nm and one of them is adjacent to a vacancy. In order to find an optimal condition to produce it using a low-energy (100 ∼ 500 eV/atom) N2 beam implantation, we performed an empirical molecular dynamic simulation. By a high-temperatures implantation at 900∼1000 K, the formation probability of such desired NV-N centers was 5 ∼ 10%, which is comparable with a measured data.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2010-12-01
著者
-
中川 幸子
岡山理科大学
-
中川 幸子
岡山理科大学 大学院理学研究科材質
-
中川 幸子
岡理大・理
-
神田 久生
物質・材料研究機構
-
山村 泰道
Okayama University Of Science
-
Betz Gerhard
Inst. für Allgemeine Physik, Technische Universität Wien
-
中川 幸子
岡山理科大学 理学研究科
-
Betz Gerhard
Inst. Fur Allgemeine Physik Technische Universitat Wien
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