27aTB-10 第一原理的分子軌道法によるB_nクラスター解離メカニズムの解明(27aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 中川 幸子

  岡理大院

• 鈴江 功

  岡山理大院

• 伊藤 真幸

  岡山理大院

• 影山 資容

  岡山理大院

• 中川 幸子

  岡山理大院

• 中川 幸子

  岡山理科大学 理学研究科

• 鈴江 功

  岡山理科大学大学院理学研究科

関連論文

• 20aTC-1 分子ビーム注入における飛程の横方向依存性(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(イオンビーム固体・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 18aYF-2 ポリスチレン中での高線量注入におけるアルカリ金属原子の表面偏斥II
• 20aRH-6 非経験的分子軌道法によるチタン中における水素誘起準位の計算I
• 25pWD-10 XPSスペクトルからみたチタン表面での水素原子の影響
• 26aYL-7 高線量のBイオンをSiに注入した場合のB_の凝集について
• 26aYL-9 高エネルギーイオン注入によるAu-Si注入層の理論解析(II)
• イオン注入改質材料の弾性率制御とマイクロマシンデバイスへの適用 (第15回イオン注入表層処理シンポジウム)
• 28aRF-8 分子動力学法によるNV-Nセンターの形成(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aZF-1 ダイヤモンドにおけるイオン照射とNVセンターの相関(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRB-12 3C-SiCにおけるAntisite-Vacancy pairの形成(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pRE-3 3C-SiCにおけるDセンターの構造モデルと温度依存性(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-8 ビーム照射によるanti-site defectの形成(II)(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26pWD-4 ビーム照射によるanti-site defectの形成(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• SiC欠陥形成における温度とエネルギーの影響 (人間生活を支える材料・エネルギー)
• 28aTA-9 結晶中の照射拡散による不純物ダイマー形成促進(II)(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aZB-8 分子ビーム注入による複合欠陥生成のMDシミュレーション(原子分子・放射線融合,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 29aXD-2 イオンビームによる結晶 (c-Si) アモルファス化の解析
• 30a-ZG-9 極大値近傍での電子的阻止能(放射線物理)
• 24aWY-1 分子ピームの固体内原子衝突(II)(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27aTB-10 第一原理的分子軌道法によるB_nクラスター解離メカニズムの解明(27aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 19aYA-4 結晶中の原子変位解析法(II)(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13pTG-2 イオンビームによる結晶アモルファス化の解析 (III)(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
• 13pTG-1 イオンビーム照射による欠陥成長の解析(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
• 21pTD-3 イオンビーム衝撃による結晶 (c-Si) の面欠陥の数値的解析
• 23pYN-12 原子衝突の緩和過程におけるクラスタリング
• 1a-D-7 軸チャネリングにおける原子列ポテンシャルの数値的決定 (2)
• 分子ビーム注入におけるドーパント分子の解離距離の制御性
• 30p-K-8 液体ヘリウム中での反陽子に対する阻止能
• 結晶へ注入されたイオンの横拡がり分布の入射面依存性
• 27aB-13 イオン分布の横分散に現れる結晶性
• 25p-J-10 結晶中へ注入されたイオンの横方向分散と電子的阻止能の関係
• 30p-K-6 結晶への注入イオンの横方向分布に及ぼす電子的阻止能の影響
• 28p-E-1 結晶への注入イオンの横方向分布
• 30a-ZN-12 軸チャネリングに於ける原子列ポテンシャルの数値的決定
• 24aWD-2 第一原理的分子軌道法によるボロンクラスターの構造遷移について(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aGQ-3 フラーレン中の窒素原子の励起状態についての分子軌道計算-II(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGQ-10 イオンビーム照射後の結晶性の振動的回復(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aEB-6 低速高電離イオンによるナノヒッロクの形成(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28pXZB-5 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態-II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク