28pXZB-5 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態-II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 中川 幸子

  岡理大院

• 坂根 弦太

  岡理大院

• 川口 健太郎

  岡大院

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