25pKA-6 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態 III(格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-08-26

著者

• 中川 幸子

  岡理大理

• 坂根 弦太

  岡理大理

• 川口 健太郎

  岡大院

• 千住 幸雄

  岡理大理

関連論文

• 25pWD-10 XPSスペクトルからみたチタン表面での水素原子の影響
• 26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24pWG-5 α-FeSi_2における電子密度状態の圧力変化(X線・粒子線(X線回折・核共鳴分光),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pXZB-5 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態-II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pKA-6 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態 III(格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

スポンサーリンク