中川 幸子 | 岡理大院
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概要
関連著者
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中川 幸子
岡理大院
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中川 幸子
岡山理科大学 理学研究科
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中川 幸子
岡山理科大学
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橋本 浩幸
岡理大院
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Betz G.
ウィーン工大
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Betz G.
ウイーン工科大学
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Betz G.
ウイーン工科大
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中川 幸子
岡山理大理
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Betz G.
ウイーンエ科大
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神田 久生
物質・材料研究機構
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幾世 和将
岡山理科大学大学院理学研究科シミュレーション科学センター
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田中 彰博
アルバック・ファイ(株)
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水野 善之
スタンフォード大学 スタンフォード加速器センター
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林 和也
岡山理大理
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水野 善之
千葉工大工
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本間 禎一
千葉工大工
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堺 達也
岡山理大
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本間 禎一
千葉工業大学精密機械工学科
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橋本 浩幸
岡山理科大学大学院理学研究科
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岡本 明信
岡山理大理
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橋本 浩幸
岡山理大理
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中川 幸子
岡山理大院
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坂根 弦太
岡理大院
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田中 彰博
アルバック・ファイ (株)
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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林 達哉
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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岩木 正哉
理研
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中尾 愛子
理研
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中尾 愛子
理化学研究所ビームアプリケーションチーム
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中尾 愛子
理化学研究所
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岩木 正哉
理化学研究所
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牧野 真人
岡山理科大学
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中川 幸子
岡理大理
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林 和也
岡理大理
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橋本 千恵
岡理大理
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江頭 貴宏
岡理大理
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中川 幸子
岡山理大
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岩谷 政哉
岡山理科大学
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神田 久生
物材構
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神田 久生
物質材料研究機構
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Betz G.
Institut Fur Allgemeine Physik Technische Universitat Wien
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堺 達也
岡山理科大学理学部応用物理学科
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波田 恭宏
岡山理科大学大学院理学研究科
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中川 幸子
岡山理大・理
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鈴江 功
岡山理大院
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伊藤 真幸
岡山理大院
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影山 資容
岡山理大院
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濱田 亜紀
岡山理科大学理学研究科
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Betz G
ウイーン工科大・理
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Whitlow H
ルント大・工
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小野 忠良
岡山理大院
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波田 恭宏
岡山理大院
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Whitlow H.
ルンド大学
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阿部 友明
岡山理大院
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岩谷 政哉
岡山理科大学大学院理学研究科シミュレーション科学センター
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Betz G.
ウィーン工科大学
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鈴江 功
岡山理科大学大学院理学研究科
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坂根 弦太
岡山理科大学大学院理学研究科
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大橋 一隆
岡理大院
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Whitlow H.J.
ユバスキュラ大
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川口 健太郎
岡大院
著作論文
- 20aTC-1 分子ビーム注入における飛程の横方向依存性(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(イオンビーム固体・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 18aYF-2 ポリスチレン中での高線量注入におけるアルカリ金属原子の表面偏斥II
- 20aRH-6 非経験的分子軌道法によるチタン中における水素誘起準位の計算I
- 25pWD-10 XPSスペクトルからみたチタン表面での水素原子の影響
- 28aRF-8 分子動力学法によるNV-Nセンターの形成(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aZF-1 ダイヤモンドにおけるイオン照射とNVセンターの相関(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-12 3C-SiCにおけるAntisite-Vacancy pairの形成(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pRE-3 3C-SiCにおけるDセンターの構造モデルと温度依存性(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-8 ビーム照射によるanti-site defectの形成(II)(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26pWD-4 ビーム照射によるanti-site defectの形成(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- SiC欠陥形成における温度とエネルギーの影響 (人間生活を支える材料・エネルギー)
- 28aTA-9 結晶中の照射拡散による不純物ダイマー形成促進(II)(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aZB-8 分子ビーム注入による複合欠陥生成のMDシミュレーション(原子分子・放射線融合,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 29aXD-2 イオンビームによる結晶 (c-Si) アモルファス化の解析
- 27aTB-10 第一原理的分子軌道法によるB_nクラスター解離メカニズムの解明(27aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19aYA-4 結晶中の原子変位解析法(II)(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13pTG-2 イオンビームによる結晶アモルファス化の解析 (III)(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 13pTG-1 イオンビーム照射による欠陥成長の解析(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 21pTD-3 イオンビーム衝撃による結晶 (c-Si) の面欠陥の数値的解析
- 23pYN-12 原子衝突の緩和過程におけるクラスタリング
- 23aGQ-3 フラーレン中の窒素原子の励起状態についての分子軌道計算-II(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aGQ-10 イオンビーム照射後の結晶性の振動的回復(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aEB-6 低速高電離イオンによるナノヒッロクの形成(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pXZB-5 固体パラ水素中の包摂原子の電子状態-II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))