橋本 浩幸 | 岡理大院

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• 橋本 浩幸

  岡理大院

• 中川 幸子

  岡理大院

• 中川 幸子

  岡山理科大学 理学研究科

• Betz G.

  ウィーン工大

• Betz G.

  ウイーンエ科大

• 橋本 浩幸

  岡山理科大学大学院理学研究科

• 中川 幸子

  岡山理科大学

• 中川 幸子

  岡山理大理

• 神田 久生

  物質・材料研究機構

• 岡本 明信

  岡山理大理

• 橋本 浩幸

  岡山理大理

• 神田 久生

  物質材料研究機構

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著作論文

• 28aRF-8 分子動力学法によるNV-Nセンターの形成(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aZF-1 ダイヤモンドにおけるイオン照射とNVセンターの相関(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRB-11 3C-SiCの融点と複合欠陥形成・消滅のシミュレーション : Molecular Dynamics(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23pRB-12 3C-SiCにおけるAntisite-Vacancy pairの形成(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pRE-3 3C-SiCにおけるDセンターの構造モデルと温度依存性(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-8 ビーム照射によるanti-site defectの形成(II)(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26pWD-4 ビーム照射によるanti-site defectの形成(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• SiC欠陥形成における温度とエネルギーの影響 (人間生活を支える材料・エネルギー)

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