水素ラジカル照射による窒化ガリウム粉末の紫外発光特性の向上
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概要
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Hydrogen plasma irradiation technique was applied to improve UV luminescence properties of commercial GaN powder which contained the dissolved oxygen in GaN lattice and a small amount of Ga2O3. RF induction thermal plasma of pulse-modulated mode was used to generate a high concentration of hydrogen radical species. The treatment of a green compact of GaN powder in the tail flame of Ar-H2 PM-ICP gave rise to the increase of photo luminescent intensity at 380 nm. The strongest intensity was obtained when a GaN specimen was set in the plasma tail flame region, where the numerical analysis predicted the increase of hydrogen radical concentration and the decrease of heat flux. When the treatment time increased, partial decomposition of GaN took place in due to excess heat energy. A short time Ar-H2 plasma irradiation gave the appropriate heating and the optimal emission efficiency. Raman scattering spectroscopy showed the impurity Ga2O3 in plasma-irradiated specimens.
- 社団法人粉体粉末冶金協会の論文
- 2008-03-15
著者
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石垣 隆正
法政大学大学院
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石垣 隆正
(独)物質・材料研究機構 ナノセラミックスセンター
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渡辺 隆行
東京工業大学原子炉工学研究所
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渡辺 隆行
東京工大 大学院総合理工学研究科
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渡辺 隆行
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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渡辺 隆行
東京工業大学
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渡辺 隆行
東京工業大学総合理工学研究科化学環境学専攻
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小林 法夫
(独)物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
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叶 如彬
(独)物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
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渡辺 隆行
東工大総理工
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