シリコンオンチップ,スパイラルインダクタにおける最適なグラウンドシールド構造に関する検討
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概要
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本論文では,LSIチップに登載する高周波スパイラルインダクタに関し,そのQ値の改善に寄与する,最適な配線形状,ならびに最適なグラウンドシールドの形状および構造について検討した結果を述べる。まず標準的なCMOSプロセスを使って実現することを仮定し,電磁界解析ツールを用いてLSI上に構成するスパイラルインダクタ素子の電磁界分布をシミュレーションした。これにより得られた知見をもとに,リング状のインダクタ配線形状と櫛形形状のグラウンドシールドを有する,新しいスパイラルインダクタ素子の構造を提案した。併せて,インダクタ配線とグラウンドシールド間の距離,およびグラウンドシールドの材質をシート抵抗の観点から検討し,これらを含めた最適な構造を提案した。この結果,7nHのスパイラルインダクタにおいで,従来に比し,周波数範囲2〜3.5GHzでQ値が15%から23%上昇する見通しが得られたので,報告する。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2003-09-01
著者
-
杉本 泰博
中央大学理工学部
-
杉本 泰博
中央大学
-
杉本 泰博
中央大学大学院理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
-
杉本 泰博
中央大学理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
-
佐藤 紳悟
中央大学大学院理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
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