弱反転領域を利用したCMOS基準電圧発生回路の検討(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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本論文では,CMOSプロセスにより,省電力特性の新しい基準電圧発生回路を設計し,試作,評価を行った結果を報告した.スイッチング電源用の1V以下の出力を持つ低電圧基準電圧源を実現するのが目的である.本回路は,MOSトランジスタの弱反転領域での特性がバイポーラトランジスタの特性と類似していることを利用し,温度に依存しない電圧を出力する.試作した0.6μmチップの測定の結果,電源電圧3.6V, 出力電圧0.99Vにおいて,0℃から75℃の温度範囲の出力電圧変動率が約0.38%に収まることを確認した.この結果MOSトランジスタの弱反転領域での特性を明らかとすることが出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-05
著者
-
杉本 泰博
中央大学理工学部
-
杉本 泰博
中央大学
-
杉本 泰博
中央大学大学院理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
-
杉本 泰博
中央大学理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
-
蒲谷 晃則
中央大学理工学研究科電気電子情報通信工学専攻
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