溶融金属吸引法により作製したAu-Sn充填貫通配線
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概要
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We have developed through-hole interconnections in silicon substrates, which can be applied for Micro Electro-Mechanical System (MEMS) devices or high-density packaging. The through-holes were formed by Deep Reactive Ion Etching (DRIE) and filled with Au-Sn solder by Molten Metal Suction Method (MMSM). The MMSM we have proposed is an unique and distinctive technology to fill high aspect ratio through-holes with conductive metal. We could make more than 18,000 conductive through-holes, 30μm in diameter and 300μm in depth, in a 4 inch silicon wafer by the MMSM. We report principle, filling process and optimization of the MMSM. We also present structure, fabrication processes and electrical characteristics of the conductive through-holes.
- 2004-01-01
著者
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山本 敏
(株)フジクラ
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末益 龍夫
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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滝沢 功
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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和田 英之
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
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糸井 和久
(株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部
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糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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山本 敏
(株)フジクラ電子デバイス研究所
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末益 龍夫
フジクラ
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末益 龍夫
(株)フジクラ光電子技術研究所シリコン技術研究部
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和田 英之
(株)フジクラ光電子技術研究所シリコン技術研究部
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