H(2×1)-Si(001) 表面へ飛来する水素原子の量子ダイナミクス
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概要
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We investigate and discuss the dynamical behavior of a hydrogen atom (H) impinging on H (2 × 1) Si (001) surface, by performing quantum dynamics calculations on the <I>ab initio</I> potential energy surface. We show that the wave functions along the surface parallel direction for the impinging H are localized outside of the Si dimer. This means that during the H abstraction from the Si (001), the impinging H does not behave as a hot atom due to the large geometric corrugation of H (2 × 1) Si (001) surface.
- 日本真空協会の論文
- 2003-05-20
著者
-
三浦 良雄
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
-
三浦 良雄
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
-
笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
-
DINO Wilson
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
中西 寛
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
三浦 良雄
大阪大学大学院工学研究科応用物理学
-
Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
-
中西 寛
大阪大学大学院工学研究科
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