400eVのHe^+ イオンによる8Kの窒素膜および酸素膜からの二次イオン生成

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概要

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• Secondary ions produced by 400 eV He+ ion impact on N2 and O2 thin films deposited on a silicon substrate at 8 K were measured as a function of film thickness using a reflectron-type time-of-flight mass spectrometer. While the major ions observed were Nn+ with n up to 4 for N2 film, larger cluster ions of On+ (n up to 10) were observed. The secondary ion intensities for N2 and O2 reached the plateau with film thickness of about 20 and 400 monolayers, respectively. The observed marked difference in the film-thickness dependence between N2 and O2 films is discussed on the viewpoint of relaxation of electronic energy deposited in the solid films by the incident 400 eV He+ ions.

• 日本質量分析学会の論文
• 2002-04-01

著者

• 平岡 賢三

  山梨大学クリーンエネルギー研究センター

• 平岡 賢三

  山科大学クリーンエネルギー研究センター

• 森 邦彦

  山梨大学クリーンエネルギー研究センター

• 渡辺 誠

  山科大学大学院工学研究科

• 佐藤 哲也

  山科大学クリーンエネルギー研究センター

• 森 邦彦

  山科大学大学院工学研究科

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