「微小重力環境を利用した結晶成長」小特集にあたって
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-10-05
著者
関連論文
- 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
- InGaAsの濡れ性評価
- 電磁浮遊法を用いた溶融シリコンの様々な熱物性値測定計画
- シリコン結晶成長プロセスシミュレーションに要求される熱物性値調査
- 電磁浮遊法を用いた液体シリコンの分光放射率測定とその温度依存性
- 過冷却温度域の Ge 融液表面張力
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成In_Ga_As単結晶育成(微小重力環境を利用した結晶成長)
- 微小重力場における均質組成InGaAsの結晶育成
- 均質組成化合物半導体単結晶育成法の検討
- バルク結晶成長の30年(第5章 最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 結晶成長と重力加速度依存現象の科学(関連学会代表挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 次の20年を目指して : 微小重力科学の本質と展開
- 微小重力科学の将来 : 学会の視点から
- 「微小重力環境を利用した結晶成長」小特集にあたって
- Benz教授退官記念最終講義に出席して
- 高温融体の熱物性とシミュレーション
- オーガナイズドセッション : 高温融体の熱物性とシミュレーション
- 産業基礎科学研究への挑戦
- 競争的研究資金の時代
- 会長就任にあたって
- In_Ga_xAs結晶成長における組成的過冷却(半導体結晶成長I)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による混晶系化合物半導体(In_XGa_As)の高精度組成制御
- TLZ法における数値解析の信頼性検討と温度勾配の推定
- 結晶成長実験における試料内部温度分布測定
- 微小重力環境を利用した混晶半導体In_Ga_Asの均一組成単結晶育成条件の検討
- 単結晶成長のための界面形状制御に関する数値解析
- 傾斜組成部分溶融法によるIn_Ga_As均一組成単結晶の育成
- 微小重力下での結晶成長特集にあたって(無重力下における結晶成長)
- イメージ炉を用いた水平シリコン融液マランゴニ対流観察実験の検討
- シリコン融液におけるマランゴ二対流の不安定性と雰囲気酸素分圧効果(微小重力環境を利用した結晶成長)
- InGaAsの濡れ性評価
- 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
- 溶融化合物半導体の熱的挙動 (温度変動と無次元数との対比)
- シリコン融液柱における高マランゴニ数振動マランゴニ対流の動的実験的解析
- InGaAs結晶成長のための熱物性の測定
- シリコンメルト液柱におけるマランゴニ対流の温度振動 (TR-IA4号機特集(速報))
- シリコンメルト液柱内の対流構造 : 融液成長(シリコン関連) I
- 半導体材料における融液の構造と性質
- 溶融GaAsの粘性係数 : 組成依存性 : 融液成長I
- 部分自由表面型ハーフゾーン液柱における温度差マランゴニ対流の線形安定解析
- シリコン液柱内マランゴニ対流に関する研究
- マランゴニ対流に起因するシリコン融液柱表面振動の位相シフト干渉法を用いた観察
- 部分自由表面型ハーフゾーン液柱内マランゴニ対流における軸対称流から振動流への直接遷移
- 自由表面を部分的に覆ったSiハーフゾーン液柱内マランゴニ対流の数値シミュレーション
- シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値(バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)
- 「最先端デバイスと科学技術」小特集にあたって(バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)
- 科研費の季節
- 拡散支配結晶成長
- 国際AO応募奮闘記
- 特集に当たって
- Traveling Liquidus-Zone法による均一組成In_Gs_As単結晶の育成 : バルク成長シンポジウム
- 半導体材料に関する最近の宇宙実験の動向
- 私の成功,私の失敗 - 宇宙実験実施までの課題 -
- 宇宙実験における私の成功と失敗