Traveling Liquidus-Zone法による均一組成In_<0.3>Gs_<0.7>As単結晶の育成 : バルク成長シンポジウム
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We have developed a new crystal growth method named as the traveling liquidus-zone method for growing homogeneous mixed crystals. Principle of this method and experimental results on In_<0.3>Gs_<0.7>As crystal growth are reviewed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
関連論文
- InGaAsの濡れ性評価
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による均一組成In_Ga_As単結晶育成(微小重力環境を利用した結晶成長)
- 微小重力場における均質組成InGaAsの結晶育成
- 均質組成化合物半導体単結晶育成法の検討
- 「微小重力環境を利用した結晶成長」小特集にあたって
- In_Ga_xAs結晶成長における組成的過冷却(半導体結晶成長I)
- TLZ(Traveling Liquidus-Zone)法による混晶系化合物半導体(In_XGa_As)の高精度組成制御
- TLZ法における数値解析の信頼性検討と温度勾配の推定
- 結晶成長実験における試料内部温度分布測定
- 微小重力環境を利用した混晶半導体In_Ga_Asの均一組成単結晶育成条件の検討
- 単結晶成長のための界面形状制御に関する数値解析
- 傾斜組成部分溶融法によるIn_Ga_As均一組成単結晶の育成
- InGaAsの濡れ性評価
- InGaAs結晶成長のための熱物性の測定
- 拡散支配結晶成長
- 国際AO応募奮闘記
- 特集に当たって
- Traveling Liquidus-Zone法による均一組成In_Gs_As単結晶の育成 : バルク成長シンポジウム
- 半導体材料に関する最近の宇宙実験の動向
- 私の成功,私の失敗 - 宇宙実験実施までの課題 -
- 宇宙実験における私の成功と失敗