スポンサーリンク
Ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- カオス的2次元音場の固有値解析
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 機械的振動をナノスケールまで微細化すると何が起こる? ナノメカニカル素子の物理と応用
- 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- CP-1-1 新探求素子(Emerging Research Device)および単電子デバイスの研究動向(CP-1.量子およびナノデバイスロードマップ,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノメータMOSFETにおける容量パラメータの直接測定
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス(量子ナノと情報処理機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気的手法による量子ドット中のスピン量子ビット操作
- 未来を創る物性基礎研究--ナノサイエンス・テクノロジが描きだす未来 (特集論文2 未来を創る物性基礎研究)
- 半導体ルネサンスの最先端を拓く (特集 未来を拓く先端技術)
スポンサーリンク