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Nec マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 6)1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 9)2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2)HDTV用FIT-CCDにおける新裏打構造の検討(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
- 超低消費電力2.4Gb/s 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- スレッドレベル並列処理プロセッサの検討
- 300MHz並列ベクトルパイプライン画像処理プロセッサ(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
- 300MHz並列ベクトルパイプライン画像処理プロセッサ
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- 26p-P-9 Si-A1吸着系の表面構造
- 29a-D-3 Si(100)-c(4×4) 表面再配列構造