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Nec化合物デバイス株式会社 | 論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- 移動体通信,通信 メトロ・LAN光通信用小型レセプタクルLDの開発・製品化 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- C-3-52 波長ロッカー内蔵4波チューナブルLDの高波長安定動作
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送