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National Defense Acad. Yokosuka Jpn | 論文
- Photoluminescence of Cd-Doped CuAlS_2
- 偏極光近接場における光異性化反応を用いたアゾ色素分子薄膜の光加工
- 局所表面プラズモンおよび水晶振動子微量天秤法を用いたガスセンシング
- 局所表面プラズモンおよび水晶振動子微量天秤法を用いたガスセンシング(有機材料,一般)
- 全反射減衰法および放射光によるポリスチレン微小球吸着膜の評価
- CS-11-10 分子幾何と表面プラズモン放射光(CS-11.有機エレクトロニクスにおける分子幾何学-界面・超構造・配向およびデバイス形成におけるトポロジー-,シンポジウム)
- CS-6-4 蛍光色素薄膜構造と表面プラズモン励起放射光(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- Prism/Ag/MEH-PPV/C60/Al 構造における表面プラズモン励起と光電特性
- 白色光分光全反射減衰法によるメロシアニンLB膜の評価
- シート・プラズマ中のヘリウムイオン温度
- 白色光照射グレーティングカップリング表面プラズモン共鳴法のセンサー応用(有機材料・一般)
- Improvement in Performances of ZnO : B/i-ZnO/Cu(InGa)Se_2 Solar Cells by Surface Treatments for Cu(InGa)Se_2
- Analysis and Optimization of Floating Body Cell Operation for High-Speed SOI-DRAM (Special Issue on Ultra-High-Speed IC and LSI Technology)
- Suppression of Parasitic MOSFETs at LOCOS Edge Region in Partially Depleted SOI MOSFETs
- Analysis of the Delay Distributions of 0.5μm SOI LSIs (Special Issue on SOI Devices and Their Process Technologies)
- Features of SOI DRAM's and their Potential for Low-Voltage and/or Giga-Bit Scale DRAM's (Special Issue on ULSI Memory Technology)
- Comparison of Standard and Low-Dose Separation-by-Implanted-Oxygen Substrates for 0.15 μm SOI MOSFET Applications
- Comparison of Standard and Low-Dose SIMOX Substrates for 0.15μm SOI MOSFET Applications
- Low-Voltage Operation of a High-Resistivity Load SOI SRAM Cell by Reduced Back-Gate-Bias Effect
- Two-Dimensional Analytical Modeling of the Source/Drain Engineering Influemce on Short-Channel Effects in SOI MOSFET's