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NTTフォトニクス研 | 論文
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- 高誘電体薄膜特性のミリ波帯における高精度測定
- SrTiO_3キャパシタをレベルシフト回路に用いたSCFL準スタティック分周器の設計
- ECRスパッタ法による低温堆積SrTiO_3薄膜
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 高誘電体比誘電率の高周波特性
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- C-4-24 Butt-Joint型スポットサイズ変換付き半導体ゲート(SS-SOAゲート)の長期安定動作
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
- 28a-K-4 中性子準弾性散乱による人工二重層膜DDABの相転移のダイナミクス
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